公开(公告)号：CN102017161B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200980115221.0

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于由电源电压所决定的偏差。

公开(公告)号：CN103222352A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180054307.4

申请日：2011-11-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桥本昌和

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0237 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/024 ,  H05K1/181 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4694 ,  H05K2201/09727 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种多层布线基板(100)，其将高密度布线区域和高频传输区域安装于同一基板上，其中，作为至少高频传输区域使用的绝缘层的材料，通过使用介质损耗角正切(tanδ)小于0.01的树脂材料，使得能够在高频传输区域传输40GHz以上的信号频率。绝缘层由聚合性组合物形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。

公开(公告)号：CN103053028A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180037619.4

申请日：2011-07-22

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  熊本拓朗

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/024 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种具有与以往相比散热特性较优异的散热机构的光电转换构件。本发明的光电转换构件(1)具有第一电极层(20)、发电层叠体(22)、以及在发电层叠体(22)上隔着镍层(24)而成膜的第二电极层(26)。在第二电极层(26)上形成由含有SiCN的材料构成的钝化层(28)。在钝化层(28)上设有散热结构体(31)。散热结构体(31)在至少一种聚合物(S)100质量份中含有膨胀石墨粉(E)40～750质量份。

公开(公告)号：CN101155944B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200680011225.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构，具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系，多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供给状态，该配管系供给输送气体，使得在各有机EL原料容器内，在成膜时和非成膜时成为相同的压力。在非成膜时，输送气体从有机EL原料容器之一流向其它原料容器。

公开(公告)号：CN101379597B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780004105.2

申请日：2007-01-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  森永均

IPC: H01L21/304 ,  G01B11/06

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理，则可以减低表面微粗糙度的增大。这样，可以提高半导体器件的电特性或成品率。

公开(公告)号：CN101305451B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680041735.2

申请日：2006-11-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。

公开(公告)号：CN101661871B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。

公开(公告)号：CN102421698A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080018059.3

申请日：2010-04-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  株式会社富士金

Inventor： 大见忠弘 ,  川田幸司 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  皆见幸男 ,  平尾圭志 ,  坂本信治 ,  北野真史

IPC: C01B5/00 ,  B01J23/42 ,  B01J33/00

CPC classification number: B01J23/63 ,  B01J12/007 ,  B01J23/42 ,  B01J35/023 ,  B01J37/0225 ,  B01J37/0244 ,  C01B5/00

Abstract: 本发明提供一种水分发生用反应炉，该反应炉是将氢气和氧气提供至具有铂催化剂层的反应炉内，使氢气与氧气发生催化反应，在不发生燃烧的情况下，在低于氢气与氧气的燃点的催化反应温度下产生高纯度的水分；其中，可以长时间地维持铂催化剂层对设置在母材与铂催化剂层之间的阻挡层的高附着力。该反应炉具有：设有气体入口和水分出口的反应炉主体、成膜于反应炉主体内壁的至少一部分上的Y2O3阻挡层、成膜于该Y2O3层上的至少一部分上的铂催化剂层。Y2O3阻挡层的膜厚优先为50nm～5μm。

公开(公告)号：CN101283114B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680037196.5

申请日：2006-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。

公开(公告)号：CN101461038B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780020248.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。