公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN103000451A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210483025.2

申请日：2012-11-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 梁慧敏 ,  由佳欣 ,  叶雪荣 ,  杨文英 ,  彭飞 ,  陈默 ,  翟国富

IPC: H01H50/18

Abstract: 本发明提供了一种衔铁与返簧一体化的电磁继电器衔铁，主要由衔铁主体、簧片和推动杆三个部分组成，衔铁主体设计为长方体，两端分别切削对称的单侧截面，倾斜截面为焊接返簧簧片提供方便，并减轻衔铁本身端部重量，直接降低转动惯量，对称的截面设计也使得衔铁在装配过程中不需要考虑正方向的问题，降低了加工难度及装配难度；中央上下两侧加工有转轴，使得衔铁在安装之后可绕转轴转动；返簧采用铍青铜材料，返簧根部矩形部分直接焊接于衔铁主体切削截面上，返簧的上翘角度与具体继电器反力指标要求有关，可进行调整；对于大部分紧凑型转动衔铁继电器，可以不再需要原有的返簧连接机构或返簧固定装置。

公开(公告)号：CN102944839A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210521194.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 邓杰 ,  叶雪荣 ,  王瑛琪 ,  赵韩 ,  翟国富

IPC: G01R31/327 ,  G01R1/04

Abstract: 参数可调平衡力式电磁继电器夹持装置，涉及一种夹持装置。本发明针对平衡力式电磁继电器设计了参数可调整的夹持装置。本发明的电磁组件定位装置、短轭铁调整装置、衔铁调整装置和底板调整装置均固装在底座的上端面；短轭铁调整装置用于支撑、固定并调整短轭铁夹紧装置在二维平面内的位置；短轭铁夹紧装置和电磁组件定位装置配合夹固待测电磁继电器的电磁组件；衔铁调整装置用于支撑、固定并调整衔铁夹紧装置在二维平面内的位置；衔铁夹紧装置用于夹固待检测的电磁继电器的衔铁；底板调整装置用于支撑、固定并调整底板夹紧装置在二维平面内的位置；底板夹紧装置用于夹固待检测的电磁继电器的底板。本发明适用于对继电器的性能和寿命测试实验。

公开(公告)号：CN101571885B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910072259.6

申请日：2009-06-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  王其亚 ,  叶雪荣 ,  梁慧敏 ,  任万滨

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过建立磁路模型和有限元模型间的修正关系，根据修正系数对电磁系统尺寸参数的可微性，实现电磁系统尺寸参数改变的电磁继电器静、动态特性快速计算方法。它包括修正系数的定义及求取、静态吸力特性的快速求解和动态特性的快速求解。本发明综合磁路法的快速性和磁场有限元法的准确性特点，提出一种基于修正系数的电磁继电器静、动态特性快速求解方法，使得电磁系统零件尺寸参数改变后的静、动态计算既具有磁路法的快速性又具有有限元法的准确性。

公开(公告)号：CN101509961A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910119603.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  张荣岭 ,  崔浩 ,  郑艳明 ,  梁慧敏

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明为一种条形永磁铁截面磁通测量装置及其测量方法，其中所述的条形永磁铁截面磁通测量装置，其包括：一基座；导向轨道组，其一端设置于所述的基座上；一工作台，其上用以安置一条形永磁铁，所述的工作台沿所述的导向轨道组上下滑动；一测量线圈夹具，其设置于所述的导向轨道组上，其上设置有测量线圈，所述的测量线圈与所述的条形永磁铁相对应；一限位结构，其用以限定所述的工作台在所述的导向轨道组上的位置；一磁通计，其与所述的测量线圈相连接。

公开(公告)号：CN101487877A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910071434.X

申请日：2009-02-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  周学 ,  崔行磊 ,  叶雪荣 ,  赵晓东 ,  李岩 ,  信鹏皓

IPC: G01R31/327

Abstract: 本发明的目的在于提供一种性能指标均匀、试验效率高、试验结果可靠、为电弧理论研究提供有效保证的开关电器触头分断电弧试验方法及其装置。它是由机械系统和电路系统组成的；机械系统连接电路系统。本发明一种开关电器触头分断电弧试验方法及其装置，包括继电器电弧试验和模拟电弧试验。本发明解决了电弧理论研究过程中理论分析或计算结果难以验证的难题。提出了一种继电器电弧试验方法和一种模拟继电器电弧试验方法。满足了电弧试验过程中对各种试验条件的要求，解决了试验效率低、试验结果可信度差的问题。为深入理解燃弧机理、分析电弧特性，进而提出快速灭弧的方法以提高继电器性能和可靠性提供有效支持。

公开(公告)号：CN119692117A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411829483.6

申请日：2024-12-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  孙祺森 ,  魏俊平 ,  林轩羽 ,  周振宁 ,  陈岑 ,  陈昊

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种小样本量下电子设备性能退化预计准确度评估方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、考虑电子设备内元器件最高使用温度，结合电子设备热仿真模型设计试验温度；步骤S2、考虑测量误差，确定试验最短时长；步骤S3、结合性能退化预计结果，考虑退化分散性设计试验样本量；步骤S4、开展热应力加速退化试验，获得电子设备性能退化数据；步骤S5、计算电子设备性能退化预计误差区间。能够在样本量有限的条件下有效评估性能退化预计准确度，降低试验成本，提高评估严谨性。

公开(公告)号：CN119647380A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411726740.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  郭子剑 ,  王辰一 ,  冯超 ,  林轩羽 ,  田济羽 ,  陈昊 ,  陈岑 ,  翟国富

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06N3/096

Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。

公开(公告)号：CN117610356A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311583574.1

申请日：2023-11-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  吴丽琴 ,  陈昊 ,  王国栋 ,  吴京洧 ,  翟国富

IPC: G06F30/23

Abstract: 一种基于改进矢量叠加的永磁电机齿槽转矩近似建模方法，属于永磁同步电机近似建模分析技术领域。方法是：对带加工公差的电机进行有限元仿真，分析并提取电机齿槽转矩的附加谐波幅值，分析电机齿槽转矩附加谐波幅值与影响附加谐波幅值的n个底层结构参数pi(i∈1,...,n)集合P＝{p1,p2,...,pn}(n＜∞)的公差之间的数值关系；对不带加工公差的电机进行有限元仿真，分析并提取电机齿槽转矩的固有谐波幅值，建立电机固有谐波幅值与影响附加谐波幅值的n个底层结构参数pi(i∈1,...,n)集合P＝{p1,p2,...,pn}(n＜∞)的之间的模型关系；提取电机固有和附加谐波幅值，以及齿槽转矩峰峰值，构建两种谐波幅值与齿槽转矩峰峰值之间的近似模型；以上所述电机均为永磁同步电机。本发明用于永磁同步电机齿槽转矩近似建模。

公开(公告)号：CN116911027A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310888397.1

申请日：2023-07-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡义凡 ,  陈昊 ,  高君鹏 ,  杜赫 ,  陈岑 ,  康锐 ,  叶雪荣 ,  翟国富

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种考虑多元件‑系统动态交互影响的系统退化建模方法，所述方法包括如下步骤：步骤1：建立能够准确描述系统物理特性和运行机制的多物理场仿真模型；步骤2：融合系统物理方程和多物理场仿真数据集，建立系统多物理场仿真模型的代理模型；步骤3：对系统中的组成元件开展加速退化试验，根据试验数据建立M个元件级性能参数退化模型；步骤4：根据代理模型和元件级性能参数退化模型，量化表征多元件‑系统动态交互影响过程，实现系统性能退化建模；步骤5：根据系统级性能参数退化数据，计算系统在tk时刻下的可靠度。该方法量化表征了多元件‑系统退化之间的动态交互影响过程，实现了更符合工程实际的系统退化建模与可靠性准确评估。