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公开(公告)号：CN103116134A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310049645.X
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法，涉及直升机用双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法。它为解决目前对应用于航空领域的小型电机剩余寿命的预测精度低的问题。舵机驱动控制器设置有舵机调速信号接口和电流信号接口；信号采集单元的舵机敏感状态信号输出端连接上位机的舵机敏感状态信号输入端；上位机接收并存储舵机敏感状态信号，预测方法：一、预先设置参数；二、舵机驱动控制器控制舵机；三、在信号采集单元采集数据发送给上位机；四、上位机存储；五、数据融合，得到状态特征曲线：得到舵机电枢电流脉动频率的初值，六、得到剩余使用寿命。它适用于舵机剩余寿命的预测。
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公开(公告)号：CN103116134B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310049645.X
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法，涉及直升机用双余度舵机剩余寿命预测装置及实现双余度舵机剩余寿命的预测方法。它为解决目前对应用于航空领域的小型电机剩余寿命的预测精度低的问题。舵机驱动控制器设置有舵机调速信号接口和电流信号接口；信号采集单元的舵机敏感状态信号输出端连接上位机的舵机敏感状态信号输入端；上位机接收并存储舵机敏感状态信号，预测方法：一、预先设置参数；二、舵机驱动控制器控制舵机；三、在信号采集单元采集数据发送给上位机；四、上位机存储；五、数据融合，得到状态特征曲线：得到舵机电枢电流脉动频率的初值，六、得到剩余使用寿命。它适用于舵机剩余寿命的预测。
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公开(公告)号：CN101984441B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010521026.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种基于EDA技术的电子系统多目标可靠性容差设计方法。步骤包括：建立电子系统的Pspice仿真模型；根据电子系统所处的环境条件建立关键元器件可靠性退化模型；根据系统的可靠性指标或根据元器件实际所受应力情况来确定其约束条件；对目标函数进行灵敏度分析，找出影响目标函数的灵敏元器件；通过多元线性回归分析建立目标函数与参数容差之间的回归方程，找到所有满足特性指标的容差组合；建立基于质量损失的多目标容差优化函数。本发明通过对灵敏元件进行容差控制，减小因参数和噪声偏差导致的元器件应力的波动，在不改变系统参数及结构的情况下提高系统内部每个元器件的寿命，进而提高电子系统整体的可靠性，延长使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266888B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810064420.0
申请日：2008-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种大功率混合直流接触器及其控制方法，本发明由直流接触器主体和灭弧系统组成。直流接触器包括动静触头、主体支架、电磁线圈等部分，完成通断作用。灭弧系统包括接触器闭合电弧消除部分和接触器断开灭弧部分。混合直流接触器闭合灭弧部分由电源转换电路、信号隔离采集电路、控制电路及MOSFET驱动电路组成，通过检测触头闭合信号导通电力电子开关消除弹跳电弧；断开过程出头电弧消除部分由保持电路、判断电路、控制切换电路及能量吸收电路组成，利用电力电容能量吸收特性消除接触器触头分断大功率负载时产生的电弧，通过PCB板布局的优化设计最大限度减少寄生参数的影响，使大功率混合直流接触器在分断动作过程中完全消除电弧影响。
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公开(公告)号：CN102393501A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110311567.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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公开(公告)号：CN101984441A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010521026.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种基于EDA技术的电子系统多目标可靠性容差设计方法。步骤包括：建立电子系统的Pspice仿真模型；根据电子系统所处的环境条件建立关键元器件可靠性退化模型；根据系统的可靠性指标或根据元器件实际所受应力情况来确定其约束条件；对目标函数进行灵敏度分析，找出影响目标函数的灵敏元器件；通过多元线性回归分析建立目标函数与参数容差之间的回归方程，找到所有满足特性指标的容差组合；建立基于质量损失的多目标容差优化函数。本发明通过对灵敏元件进行容差控制，减小因参数和噪声偏差导致的元器件应力的波动，在不改变系统参数及结构的情况下提高系统内部每个元器件的寿命，进而提高电子系统整体的可靠性，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN102393501B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110311567.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。
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公开(公告)号：CN101266888A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810064420.0
申请日：2008-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种大功率混合直流接触器及其控制方法，本发明由直流接触器主体和灭弧系统组成。直流接触器包括动静触头、主体支架、电磁线圈等部分，完成通断作用。灭弧系统包括接触器闭合电弧消除部分和接触器断开灭弧部分。混合直流接触器闭合灭弧部分由电源转换电路、信号隔离采集电路、控制电路及MOSFET驱动电路组成，通过检测触头闭合信号导通电力电子开关消除弹跳电弧；断开过程出头电弧消除部分由保持电路、判断电路、控制切换电路及能量吸收电路组成，利用电力电容能量吸收特性消除接触器触头分断大功率负载时产生的电弧，通过PCB板布局的优化设计最大限度减少寄生参数的影响，使大功率混合直流接触器在分断动作过程中完全消除电弧影响。
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