公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN102998620A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210547919.3

申请日：2012-12-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高强 ,  徐殿国 ,  王云杰 ,  王思宇 ,  金淼鑫 ,  周长城 ,  苏博男 ,  李志城 ,  周再良

IPC: G01R31/327 ,  G01R31/12

Abstract: 高压晶闸管阀组快速在线故障检测装置及方法，属于晶闸管在线检测领域，本发明为解决目前检测高压晶闸管阀组的检测电路结构复杂，且成本高的问题。本发明包括高频交变电流源、能量耦合单元、整流滤波电路、稳压电路、处理器、调理电路、检测电路和光纤，高频交变电流源的输出端与能量耦合单元的输入端相连，能量耦合单元的输出端与整流滤波电路的交流输入端相连，整流滤波电路的直流输出端与稳压电路的输入端相连，稳压电路的输出端同时与处理器、调理电路和检测电路的直流供电端相连，调理电路接收高压晶闸管阀组中待检测的晶闸管端电压信号，调理电路的输出端与检测电路的输入端相连，检测电路的输出端通过光纤与处理器的信号输入端相连。