公开(公告)号：CN119692117A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411829483.6

申请日：2024-12-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  孙祺森 ,  魏俊平 ,  林轩羽 ,  周振宁 ,  陈岑 ,  陈昊

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种小样本量下电子设备性能退化预计准确度评估方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、考虑电子设备内元器件最高使用温度，结合电子设备热仿真模型设计试验温度；步骤S2、考虑测量误差，确定试验最短时长；步骤S3、结合性能退化预计结果，考虑退化分散性设计试验样本量；步骤S4、开展热应力加速退化试验，获得电子设备性能退化数据；步骤S5、计算电子设备性能退化预计误差区间。能够在样本量有限的条件下有效评估性能退化预计准确度，降低试验成本，提高评估严谨性。

公开(公告)号：CN119846416A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411971051.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王梓丞 ,  王明阳 ,  鲁博航 ,  魏俊平 ,  李志豪 ,  郭毅 ,  寇雅婷 ,  翟国富

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，所述方法如下：S1：设置开关应力参数：开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R；S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线提取电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线；S3：将提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。该方法能够有效解决传统提取技术中，提取转移特性曲线前需要复杂的预处理以及提取过程中存在测量延迟的问题，显著提升测量精准度。