公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN102393501B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统的MOSFET静态参数测试方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。