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公开(公告)号：CN115872626A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310035044.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 南方科技大学
IPC: C03C12/00 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本申请提供一种玻璃粉、玻璃‑陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷材料制造领域。以质量百分比计，玻璃粉包括CaO：1～50wt％、B2O3：35～62wt％以及SiO2：7～22wt％，该玻璃粉能够在一定程度上解决玻璃‑陶瓷复合材料存在的介电性能欠佳的问题，从而便于对LTCC技术进行推广和应用。
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公开(公告)号：CN112054056B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202010929206.8
申请日：2020-09-07
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法。其中具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；p型栅极层包括第一区域和第二区域，第一区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及栅极，第二区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及阴极，第二区域背离衬底一侧还设置有与p型栅极层直接接触的阳极；阳极与源极电连接，阴极与栅极电连接。本发明实施例的技术方案，有效提高器件栅极静电放电防护能力，优化器件的电学可靠性。
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公开(公告)号：CN115724665A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211577876.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 南方科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B41/89 , C04B41/88 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 一种氮化铝基板及其制备方法，属于半导体的散热技术领域。氮化铝基板包括氮化铝陶瓷板，且氮化铝陶瓷板的化学成分含有金属钼和氮化铝，金属钼与氮化铝的体积之比的比值为3‑8％。本申请提供的氮化铝陶瓷板具有2.7‑3.2ppm/℃的较低的热膨胀系数，和大于150W/mk的较高的热传导系数。利用本申请提供的氮化铝陶瓷基板进行芯片的散热，可以在提高芯片的散热性的同时，还能减小基板与芯片之间的热应力。
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公开(公告)号：CN114566430A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210193318.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体器件及其电极的制作方法，属于半导体领域。在半导体器件中形成电极的方法包括：制作至少具有在不经刻蚀技术参与而形成栅凹槽的图形化的InAlN层；在栅凹槽中制作栅极，或者，穿过图形化的InAlN层制作与GaN接触的源极和/或漏极。其中的半导体器件具有基于InAlN/GaN异质结的外延结构。在上述工艺由于不需要刻蚀栅极区域势垒层InAlN，从而可以避免刻蚀工艺引入的损伤，进而提高了相应器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110300076B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910670509.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 南方科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种应用于PAM‑4调制格式的前馈均衡器，包括：第一路信号输入端，第一路信号延迟模块，第一路信号预加重模块，第二路信号输入端，第二路信号延迟模块；第二路信号预加重模块，信号输出端。本发明通过对PAM‑4信号的预加重和延迟实现了PAM‑4信号的调制，解决了现有技术中信号传输时高频衰减会造成符号间干扰的技术问题,实现了更高速率的调制、通信和更精确的控制信号预加重能量的大小并使发射机更好的应对信道失真技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488532A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110796382.3
申请日：2021-07-14
Applicant: 南方科技大学 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，解决了金属电极材料扩散带来的肖特基势垒高度增加而导致的欧姆接触电阻增大的问题，同时将半导体界面的GaO薄层，转变为NiO半导体层，提高了金属/p‑type GaN界面处的Ga空位，进一步降低源漏极欧姆接触电阻，最终改善了p型氮化镓基器件源极和漏极欧姆接触电阻高的问题，提高了p型氮化镓晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路中发挥更大的作用。
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公开(公告)号：CN112820774A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011613280.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该器件包括依次层叠的衬底、缓冲层、GaN层、AlN层和InAlN层，以及形成于InAlN层远离衬底一侧的源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极的材料为Ti5Al1和TiN的层叠结构或Ti5Al1和W的层叠结构，利用Ti5Al1和TiN、Ti5Al1和W的材料特性，将源极和漏极与GaN层、AlN层及InAlN层接触，形成欧姆接触电极的机理，有效降低欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，另外，利用ALE刻蚀工艺形成常关型GaN器件，实现了在降低导通电阻的同时还实现了低速低损失的刻蚀，同时精准控制刻蚀深度从而有效降低栅极漏电，提高器件高耐压值和阈值电压。
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公开(公告)号：CN109873038B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910207646.X
申请日：2019-03-19
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的p型材料层和钝化层；位于所述p型材料层两侧的漏极电极和源极电极；位于所述p型材料层上的栅极电极。因氧化镓衬底与p型材料层材料功函数的差别，p型材料层可将其底部的电子耗尽，以形成常关型器件从而解决了现有的氧化镓材料由于很难实现p型掺杂而用于制作半导体器件时伴随的高技术难度和高成本的问题，且氧化镓材料具有优异的半导体特性，制作的半导体器件可适用于多种特殊的领域，如高压电力电子等，扩展了半导体器件的使用范围。
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公开(公告)号：CN111554742A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010393703.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。该方法能够精确控制刻蚀深度，改善欧姆接触区域的刻蚀形貌，提升欧姆接触质量，提升输出饱和电流，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN111533553A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010104781.4
申请日：2020-02-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明属于电容器介质材料技术领域，具体涉及一种纳米晶钛酸钡陶瓷及其制备方法。本发明纳米晶钛酸钡陶瓷的制备方法是将碳酸钡与二氧化钛混合，经球磨、砂磨、干燥、过筛、煅烧，得到钛酸钡陶瓷。本发明纳米晶钛酸钡陶瓷的制备方法先将碳酸钡和二氧化钛混合球磨以增加其烧结活性，然后通过砂磨的方法固相合成粒径较小、高四方性的钛酸钡纳米粉体，钛酸钡纳米粉体经煅烧处理，所得纳米晶钛酸钡陶瓷具有较小的晶粒尺寸和较高的介电常数，作为陶瓷电容器材料可满足电容器件对每单电介质中含有5-6个陶瓷晶粒的要求。
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