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公开(公告)号：CN107134983A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710350481.2
申请日：2017-05-18
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H03F1/301 , H03F3/45179 , H03F3/45479 , H03F2200/447 , H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种运算放大器，包括输入级电路、偏置电路及输出级电路，所述输入级电路包括差分输入模块、第一及第二增益自举模块，所述偏置电路包括偏置模块和共模反馈模块，所述输出级电路包括差分转单端模块；共模反馈模块为差分输入模块提供一个偏置电压，且具有共模反馈功能，反馈信号通过控制差分输入模块的尾电流源来消除失调电压，差分转单端模块将输入级电路输出的两个差分信号反相叠加后以单端口输出。本发明能有效提高运算放大器的增益。
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公开(公告)号：CN103871348B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410114475.3
申请日：2014-03-26
Applicant: 广州新视界光电科技有限公司 , 华南理工大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 一种行集成电路设有晶体管T1、晶体管T1a、晶体管T2、晶体管T2a、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、电容C1、电容C2和电容C3。该行集成电路采用单负电源结构、避免采用传统的以二极管连接的晶体管作为反向器，采用新型的反向器结构，并且实现由输出级上拉管进行充放电，能够减小输出级下拉管的器件尺寸，具有电路结构简单、功耗低、器件尺寸小的特点。
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公开(公告)号：CN104008726B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410214112.7
申请日：2014-05-20
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种有源有机电致发光显示器的像素电路及其驱动方法，像素电路设置在提供控制信号的行形式的扫描线和提供数据信号的列形式的信号线彼此交叉的部分处，包括了第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、驱动晶体管、有机发光二极管、第一电容及第二电容；该像素电路可补偿驱动晶体管的阈值电压漂移(包括正的阈值电压和负的阈值电压)，并对于相邻几行的像素之间采取了控制信号复用，从而减少了控制信号线的数量，降低了对外围驱动的要求，从而减低成本，而且能够实现高速的编程方式，使之适用于大尺寸、高分辨率的显示。
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公开(公告)号：CN105184356A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510633513.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/067 , G06K19/077 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的射频识别标签制备方法，该射频识别标签主要由天线、模拟前端、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路构成，EEPROM存储电路包括存储器件及外围读写电路构成，天线主要由金属线圈所组成，模拟前端和时钟及数字逻辑电路由常规薄膜晶体管所组成，而EEPROM存储电路主要是由常规薄膜晶体管和存储薄膜晶体管所组成。本发明提供了一种采用薄膜工艺在同一基板上一体化制备包括天线、模拟前端电路、时钟及数字逻辑电路和EEPROM存储电路这四部的整个射频识别标签的方法，克服传统的RFID标签存在IC芯片与外接天线整合成本高、工序复杂等缺点，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN103065584B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210553756.X
申请日：2012-12-18
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了有源有机电致发光显示器的扫描驱动器及其驱动方法，驱动器包括第一级扫描驱动电路、第二级扫描驱动电路、第三级扫描驱动电路以及第四级扫描驱动电路，每级扫描驱动电路包含一个输入端VIN，三个时序信号输入端，两个输出端和三个电源端，所述第一级扫描驱动电路的输入信号由外围提供，此后每一级单元电路的输出信号COUT（N）为下一级单元电路的输入信号VIN(N+1)。本发明扫描驱动器只需一种传输类型的薄膜晶体管，避免了采用传统的非门，或非门等结构，确保信号全摆幅输出，满足显示器的驱动需求，该驱动器采用三根流水线方式的时序控制信号，采用输出反馈到输入回路抑制漏电流的方式，使得电路更加稳定工作，信号全摆幅输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102184968B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110110050.1
申请日：2011-04-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。
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公开(公告)号：CN103117041A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310039283.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了有源有机电致发光显示器的像素电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、有机发光二极管、第一电容及第二电容。本发明还公开了所述有源有机电致发光显示器的像素电路的编程方法，第1帧周期，编程经过初始化、阈值电压锁存、数据加载和有机发光二极管发光阶段；从第2帧开始的连续N个帧周期内，编程只经过数据加载和有机发光二极管发光阶段；之后，像素电路重复上述过程，不断地循环往复下去。本发明在驱动晶体管的阈值电压漂移和有机发光二极管退化情形下，仍保持有机发光二极管电流恒定，并可有效地提高了像素电路的编程速度。
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公开(公告)号：CN102708800A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210179279.5
申请日：2012-05-31
Applicant: 广州新视界光电科技有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管背板单元像素电路，包括一开关晶体管、一驱动晶体管、一存储电容、一扫描控制线、一电源控制线、一数据控制线和一底发射型OLED器件；所述开关晶体管的源极作为存储电容的上极板，所述电源控制线作为存储电容的下极板，开关晶体管绝缘层作为存储电容的介电层。本发明有效利用了电源控制线的走线区域形成存储电容下极板，使像素开口率得到提高，从而有效延缓薄膜晶体管和OLED器件的老化速度，提高OLED显示器的寿命。
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公开(公告)号：CN102184968A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110110050.1
申请日：2011-04-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。
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公开(公告)号：CN207038530U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720690215.X
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/443 , H01L21/477
Abstract: 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层、MoOx中间氧化层和Mo源/漏电极构成，所述MoOx中间氧化层自生成于Mo源/漏电极与有源层的接触界面之间。本实用新型在源/漏电极与有源层之间形成MoOx中间氧化层，能阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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