一种残余应力可控的复合柔性衬底及其制备工艺与应用

    公开(公告)号:CN106229419A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610624690.7

    申请日:2016-07-29

    CPC classification number: H01L51/0097 H01L51/56

    Abstract: 本发明属于LED显示技术领域,公开了一种残余应力可控的复合柔性衬底及其制备工艺与应用。所述残余应力可控的复合柔性衬底包括依次层叠的底层柔性衬底、应力调控层和顶层柔性衬底;所述应力调控层为具有压应力的应力调节层。本发明通过热学或光学的方法调节应力调控层的应力大小,可以获得残余应力几乎为零的复合柔性衬底,进而消除衬底残余应力释放导致的器件不受控卷曲现象,实现超薄柔性电子器件的自然平整性。也可根据需要通过应力调控层调节复合柔性衬底的整体应力类型与应力值,从而实现特定弯曲半径、特定弯曲方向的柔性电子器件的制作。

    一种聚合物薄膜的制备工艺

    公开(公告)号:CN104241448B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201410459728.0

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 一种聚合物薄膜的制备工艺,包括(1)预涂布,在载体基板上涂覆聚合物前体溶液形成初体膜;(2)离心厚边调整,旋涂装置使载体基板进行高速离心运动,初体膜厚边部分的溶液在离心过程中被甩出,使载体基板上的初体膜边沿被减薄;(3)将步骤(2)离心厚边调整后初体膜连通载体基板一起固化处理,将固化处理后的薄膜与载体基板分离得到自支撑的成品聚合物薄膜。步骤(1)中的聚合物前体溶液为高粘度溶液,溶液的粘度范围为800cp~20000cp。步骤(2)中离心装置的离心转速为100~10000r/min,离心平台水平度低于5mm/m。本发明能够有效消除高粘度聚合物溶液成膜过程中产生的厚边问题,提高成膜均匀性。

    一种衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺

    公开(公告)号:CN104362077A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410609084.9

    申请日:2014-10-31

    CPC classification number: H01L21/00 H01L21/46 H01L21/77

    Abstract: 本发明公开了一种衬底与基板分离工艺,包括以下步骤:(1)在基板上制备柔性薄膜衬底,所述柔性薄膜衬底位于基板之上,并包覆基体的侧面;(2)在柔性薄膜衬底上制备电子元件;(3)沿着电子元件外围,从柔性薄膜衬底表面垂直向下切割,再将柔性薄膜衬底解离,获得成品柔性显示器件。本发明还公开了包含上述衬底与基板分离工艺的柔性显示器件的制备工艺及制备得到的柔性显示器件。本发明的能保证柔性衬底在后续器件制备过程中稳定附着在硬质基板上,并且衬底与基板分离简单、成本低、快速且对器件性能无损伤。

    一种聚合物薄膜的制备工艺

    公开(公告)号:CN104241448A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410459728.0

    申请日:2014-09-10

    CPC classification number: C08J5/18 C08J2379/08 C08L79/08 C08L2203/16

    Abstract: 一种聚合物薄膜的制备工艺,包括(1)预涂布,在载体基板上涂覆聚合物前体溶液形成初体膜;(2)离心厚边调整,旋涂装置使载体基板进行高速离心运动,初体膜厚边部分的溶液在离心过程中被甩出,使载体基板上的初体膜边沿被减薄;(3)将步骤(2)离心厚边调整后初体膜连通载体基板一起固化处理,将固化处理后的薄膜与载体基板分离得到自支撑的成品聚合物薄膜。步骤(1)中的聚合物前体溶液为高粘度溶液,溶液的粘度范围为800cp~20000cp。步骤(2)中离心装置的离心转速为100~10000r/min,离心平台水平度低于5mm/m。本发明能够有效消除高粘度聚合物溶液成膜过程中产生的厚边问题,提高成膜均匀性。

    具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102184968B

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201110110050.1

    申请日:2011-04-29

    Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法,在基板上形成第一源、漏极,然后淀积第一有源层,有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上,第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上,从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点:可作为双向开关或三态器件;可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制;具有高开态电流;可作为反相器。

    具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102184968A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110110050.1

    申请日:2011-04-29

    Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法,在基板上形成第一源、漏极,然后淀积第一有源层,有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上,第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上,从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点:可作为双向开关或三态器件;可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制;具有高开态电流;可作为反相器。

    用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106229080B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201610737321.9

    申请日:2016-08-26

    Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域,公开了用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法。所述方法为:a.在衬底上沉积第一金属层,并将金属层图形化为金属导电网格;b.涂覆负性光刻胶,从衬底侧对负性光刻胶进行曝光处理,形成导电网格模具;c.使用电镀方法,在金属导电网格上沉积第二金属层,并通过导电网格模具形成导电网格;d.在第二金属层和导电网格模具上沉积透明导电层;e.在透明导电层上制作有机保护层,形成低阻值透明导电网络膜。本发明通过引入电镀法,并结合埋入式结构,在不增加金属网格线宽的同时,尽量增厚金属层的厚度,实现超厚、超细的金属网格,满足了柔性电子器件对低阻值、高透明导电网络的要求。

    用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺

    公开(公告)号:CN104362263A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410609069.4

    申请日:2014-10-31

    CPC classification number: H01L51/56 H01L51/0001 H01L51/0097

    Abstract: 本发明公开了用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺,包括以下步骤:(1)在载体基板上制备柔性薄膜衬底,对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理,使得某些区域成为高黏附区域;其余区域成为低黏附区域;(2)在低黏附区域上方的柔性薄膜衬底上制备电子元件;(3)沿着电子元件的外围,从柔性薄膜衬底垂直向下切割,形成切割线;所述切割线的下方为低黏附区域;(4)将柔性薄膜衬底和载体基板上分离。本发明所保证柔性薄膜衬底在后续器件制备过程中稳定附着在载体基板上,并且衬底与基板分离简单、成本低、快速且对器件性能无损伤。

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