公开(公告)号：CN101976545A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010522417.6

申请日：2010-10-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 吴为敬 ,  周雷 ,  颜骏 ,  许志平 ,  赖志成

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了OLED显示器的像素驱动电路及其驱动方法，该像素电路包括驱动晶体管，两个开关晶体管，耦合电容，存储电容和有机发光二极管。其中第一开关晶体管的漏极接数据线，栅极接第一扫描控制线，源极接耦合电容的B端，第二开关晶体管漏极接存储电容和耦合电容的A端，栅极接第二扫描控制线，源极接驱动晶体管的漏极，通过OLED与电源线相连，驱动晶体管栅极接存储电容和耦合电容的A端，源极接地；本发明电路可以有效补偿薄膜晶体管的阈值电压的不均匀性以及OLED开启电压的退化，使OLED显示屏画面亮度均匀性提高。

公开(公告)号：CN102184968B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110110050.1

申请日：2011-04-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 许志平 ,  吴为敬 ,  赖志成 ,  谢佳松 ,  颜骏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。

公开(公告)号：CN102184968A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110110050.1

申请日：2011-04-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 许志平 ,  吴为敬 ,  赖志成 ,  谢佳松 ,  颜骏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。