公开(公告)号：CN102184968B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110110050.1

申请日：2011-04-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 许志平 ,  吴为敬 ,  赖志成 ,  谢佳松 ,  颜骏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。

公开(公告)号：CN102184968A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110110050.1

申请日：2011-04-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 许志平 ,  吴为敬 ,  赖志成 ,  谢佳松 ,  颜骏

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，在基板上形成第一源、漏极，然后淀积第一有源层，有源层边缘与第一源、漏极边缘重叠。继而在第一有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层。第二有源层以对应第一有源层的方式形成于第二绝缘层上，第二源、漏极以对应第一源、漏极的方式形成于第二有源层之上，从而形成单栅双沟道结构的薄膜晶体管。该结构薄膜晶体管优点：可作为双向开关或三态器件；可用于对两个电路行为一致的电路分支进行控制；具有高开态电流；可作为反相器。