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公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN118841360A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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公开(公告)号：CN114141805B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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公开(公告)号：CN111785714B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
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公开(公告)号：CN117512511A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311633735.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在难熔金属基底上生长AlN缓冲层的方法，常见的五种难熔金属有W、Mo、Nb、Ta、Re，这里以纯金属Mo为例。以金属Mo做基底，运用射频溅射技术，生长AlN缓冲层。此种方法具有以下优点：Mo具有优异的导电性、导热性和化学稳定性，做基底可使得制造的器件更加稳定可靠；成本低、易剥离、易清洗；射频溅射技术工艺简单，易操作等。旨在提供一种简单有效的方法，用于高质量的AlN缓冲层生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117410399A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311425745.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属凸点阵列的可控制备及彩色Micro‑LED键合方法，采用电镀方法制备金属凸点阵列，通过改变电流密度调控金属凸点表面形貌，通过阴极旋转和电镀参数提高金属凸点高度均匀性；采用两次光刻，使电镀种子层的电连接桥梁沉积在第一光刻掩膜层上，并用第二光刻掩膜层定义金属凸点大小和形状，形成大小、形状和电学特性均匀的金属凸点阵列；采用上述制备方法分别在CMOS驱动基板和红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片制备具有不同高度的金属凸点阵列，通过三次键合分别把红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片键合在CMOS驱动基板上，形成彩色Micro‑LED显示阵列。该方法可在单位面积内实现更高的像素密度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN116190410A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310222471.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。
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公开(公告)号：CN115863524A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211575973.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属微球自组装的Micro‑LED凸点阵列制备及键合方法，包括从下至上依次设置的Micro‑LED芯片基板或驱动背板、凸点下金属化层、Au薄膜、凸点间绝缘层、金属微球；本方案具有制备工艺简单，节省原材料等优点。
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公开(公告)号：CN114411124B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210104274.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种化学液相沉积法制备氧化铪薄膜的方法，主要通过铪的无机盐与强碱弱酸盐发生双水解反应，同时加入能促进水解反应和促进凝聚作用的硫酸根离子，再通过控制强碱弱酸盐的量调节溶液pH值，使得沉淀缓慢析出并沉积在衬底表面，之后进行退火处理得到致密且连续、有良好的漏电性和高透过率的氧化铪薄膜，本发明可以作为一种成本低廉、工艺简便的新型氧化铪薄膜的制备方法，应用于光学，电学器件中。
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公开(公告)号：CN115346961A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210960149.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级金属凸点阵列键合测试结构，包括顶层模块和底层模块；所述顶层模块包括第一绝缘基板、第一图案化打底金属层、具有镂空孔阵列的第一透明介质层和第一微米级金属凸点；所述底层模块包括第二绝缘基板、第二图案化打底金属层、金属电极、具有镂空孔阵列的第二透明介质层和第二微米级金属凸点。本发明可以快速判断出微米级金属凸点的键合良率以及进行可靠性测试。
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