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公开(公告)号：CN103975450B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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公开(公告)号：CN102576640A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080032799.2
申请日：2010-07-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 威廉·T·维弗 , 罗素·J·洛
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/266
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/266 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机，其中离子电流测量装置配置于罩幕的后方且与靶材基板的表面共平面，有如该靶材基板位于平台上。离子电流测量装置平移而跨越离子束。经由罩幕的多个孔径而引导的离子束的电流利用离子电流测量装置予以测量。以此方式，可根据离子电流测量装置所测量的离子电流轮廓来测定罩幕相对于离子束的位置以及罩幕的情况。
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公开(公告)号：CN104272428B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201380022385.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01J37/317 , H01L21/266 , H01L31/0224
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3045 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 揭示一种在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的装置及方法。在基板入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植
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公开(公告)号：CN103046116B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310010356.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN103229288A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056752.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/677 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L21/68735 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示了改良的、低成本的制作基板的方法以创造太阳能电池。此外，还揭示了改良的基板载具。一般用以运载基板的载具被改良，以便来当作图案化植入的遮蔽罩幕。在一些实施例中，各种图案能够利用载具产生而出，使得可藉由改变载具或载具的位置来执行在基板上不同的制程步骤。另外，因为基板对载具的对准是重要的，所以载具可包括对准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中，重力会被用来支撑在载具上的基板，且因此离子被引导离子以便使离子束向上朝向载具的底侧行进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088404A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009504.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN102687245A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080046602.0
申请日：2010-10-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 查尔斯·T·卡尔森
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3172 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 揭示一种移动遮罩以执行衬底的图案化植入的改良方法。所述遮罩具有多个孔隙，且置放于离子源与所述衬底之间。在将所述衬底暴露于离子束之后，将所述遮罩相对于所述衬底指引至新位置且执行后续植入步骤。可经由选择孔隙大小以及形状、指引距离以及植入步骤的数目来产生多种植入图案。在一些实施例中，所述植入图案包含重掺杂水平条带，其中较轻掺杂区域介于所述条带之间。在一些实施例中，所述植入图案包含重掺杂区域的栅格。在其他实施例中，所述植入图案适合于与汇流排结构一起使用。
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公开(公告)号：CN102007601A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113415.7
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L31/042 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供了逆掺杂太阳能电池(特别是叉背接触(IBC)太阳能电池)的方法。在太阳能电池的一表面上，一些部分需要被N掺杂，而其他部分则是被P掺杂。传统上，会需要多道微影和掺杂的步骤以达成所希望的结构。另一方面，可经由进行一个导电率的一整体掺杂和相对的导电率的一罩幕图案化逆掺杂制程而省略一道微影步骤。在罩幕图案化布植中，被掺杂的区域会接收充分的掺杂量以完全逆转整体掺杂的影响，并达成相对于整体掺杂的一导电率。在另一实施例中，逆掺杂是以直接图案化的技术所进行，可省去多余的微影步骤。在本发明中提供多种直接逆掺杂的制程方法。
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公开(公告)号：CN104272428A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380022385.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01J37/317 , H01L21/266 , H01L31/0224
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3045 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 揭示一种揭示为在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的系统及方法。在基板(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。
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公开(公告)号：CN103975450A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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