-
公开(公告)号：CN1893259A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610008598.4
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F3/60 , H03F2200/111 , H03F2200/417 , H03F2200/423 , H03F2200/75
Abstract: 本发明涉及功率放大器以及使用了该放大器的发射器。使多赫蒂型功率放大器的输出功率合成电路的电长可变，对于多频带或者宽频带谋求高功率附加效率，在载频放大器(Amp1)和峰值放大器(Amp2)的输入一侧连接90度相位延迟功率分配单元(PSPD)，在输出一侧连接可变电长功率合成单元(VTL2)，根据载波信号(RFs)的载波频带，通过从可变电长功率合成单元(VTL2)的控制端子(Ctrl)施加控制信号(Sig)进行调整，使得对于该载波频带的中心频率，可变电长功率合成单元(VTL2)的电长大致成为90度。
-
公开(公告)号：CN1252913C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01807552.5
申请日：2001-03-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0222 , H03F1/0261 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/306 , H03F3/19 , H03F3/1935 , H03F2200/318 , H03F2200/453
Abstract: 在由多数放大器构成的功率放大器模块的每一级上设置模拟放大器工作的基准放大器，根据输入功率电平，对在该基准放大器核心的双极性晶体管基极上流过的电流进行检测、放大，作为上述放大器核心的晶体管的基极电流供给。
-
公开(公告)号：CN1340858A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01125838.1
申请日：2001-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H04B1/006 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H04B1/005 , H04B1/28 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 为了减少双频带收发用半导体集成电路上内装的差动低噪音放大器中每个发射极引线焊接、封装的阻抗成分并提高增益,所以将差动放大器成对的放大器的接地脚作成彼此相邻。并且,将相同放大器的输入脚和接地脚作成彼此相邻。因此,使相邻的管脚信号成为反相,利用管脚间的变压器耦合,降低每个晶体管发射极阻抗。
-
公开(公告)号：CN1122534A
公开(公告)日：1996-05-15
申请号：CN95116827.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K17/693 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/063 , H03K17/693
Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。
-
公开(公告)号：CN1227733C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01125838.1
申请日：2001-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: H04B1/006 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H04B1/005 , H04B1/28 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 为了减少双频带收发用半导体集成电路上内装的差动低噪音放大器中每个发射极引线焊接、封装的阻抗成分并提高增益，所以将差动放大器成对的放大器的接地脚作成彼此相邻。并且，将相同放大器的输入脚和接地脚作成彼此相邻。因此，使相邻的管脚信号成为反相，利用管脚间的变压器耦合，降低每个晶体管发射极阻抗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100539487C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN02143802.1
申请日：2002-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03G3/3078 , H03G3/3052 , H04B1/707
Abstract: 提供能减少在以CDMA等的没有间隙时间的直接变换型来使用步进型可变增益器的情况下产生的增益转换时噪声的影响的无线通信接收机。作成使用终端计数器和定序器来控制由AGC控制部转换可变增益器的增益时的时序结构。通过作成这样的结构，避免在接收控制用信号或抗噪声性能差的信号的时刻处增益被转换，以转换可变增益器增益的方式来控制时序。
-
公开(公告)号：CN1241445C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03145372.4
申请日：2003-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04M1/0218 , H04M1/0264 , H04N5/2252 , H04N5/2253
Abstract: 本发明提供一种带摄像机的折叠式便携终端装置，在因落下而施加强烈冲击时，能够防止摄像机的变形破损。使容纳在摄像机部壳体(13)内的摄像机模块(14)的各个表面用冲击吸收性优良的材料所形成的缓冲材料(18)、(19)来保持摄像机部壳体(13)，由此，能够防止摄像机模块(14)的变形破损。
-
公开(公告)号：CN1487761A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03145372.4
申请日：2003-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04M1/0218 , H04M1/0264 , H04N5/2252 , H04N5/2253
Abstract: 本发明提供一种带摄像机的折叠式便携终端装置，在因落下而施加强烈冲击时，能够防止摄像机的变形破损。使容纳在摄像机部壳体13内的摄像机模块14的各个表面用冲击吸收性优良的材料所形成的缓冲材料18、19来保持摄像机部壳体13，由此，能够防止摄像机模块14的变形破损。
-
公开(公告)号：CN1409507A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02143802.1
申请日：2002-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H03G3/3078 , H03G3/3052 , H04B1/707
Abstract: 提供能减少在以CDMA等的没有间隙时间的直接变换型来使用步进型可变增益器的情况下产生的增益转换时噪声的影响的无线通信接收机。作成使用终端计数器和定序器来控制由AGC控制部转换可变增益器的增益时的时序结构。通过作成这样的结构，避免在接收控制用信号或抗噪声性能差的信号的时刻处增益被转换，以转换可变增益器增益的方式来控制时序。
-
公开(公告)号：CN1093997C
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN95116827.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K17/693 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/063 , H03K17/693
Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.028 seconds)
