公开(公告)号：CN1122534A

公开(公告)日：1996-05-15

申请号：CN95116827.4

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中聪 ,  冈本达人 ,  北山太郎 ,  山根正雄

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/48

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。

公开(公告)号：CN1421927A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152669.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 赤岭均 ,  铃木将司 ,  山根正雄 ,  安逹徹朗

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7835 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F3/189 ,  H03F3/211 ,  H03F3/601 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明给出了一种半导体器件，包含半导体衬底和形成于该半导体衬底上的晶体管；其中构成晶体管外部电极端的控制电极端和传送输出信号的第一电极端置于半导体衬底的主表面上，其中控制电极端至少有一个，并且大量第一电极端排列在一侧，而大量第一电极端排列在另一侧，控制电极端插于其间，其中包括控制电极端和位于控制电极端某侧的大量第一电极端的部分构成第一晶体管部分，而其中包括控制电极端和位于另一侧的大量第一电极端的部分构成第二晶体管部分。该半导体器件是四边形的。

公开(公告)号：CN1093997C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN95116827.4

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中聪 ,  冈本达人 ,  北山太郎 ,  山根正雄

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/48

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。