公开(公告)号：CN1122534A

公开(公告)日：1996-05-15

申请号：CN95116827.4

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中聪 ,  冈本达人 ,  北山太郎 ,  山根正雄

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/48

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。

公开(公告)号：CN1093997C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN95116827.4

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中聪 ,  冈本达人 ,  北山太郎 ,  山根正雄

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/48

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/693

Abstract: 本发明所提出的具有低失真特性的高频SPDT开关包括一组FET。其中，在接收机侧通过接收信号的FET和在发射机侧旁路的FET各由一些串联的FET形成，而且在第一栅极和源极之间以及在第二栅极和漏极之间接有电容。一个电感与一个串联的FET串并联连接。这样就很容易实现一种具有低电压、低失真特性的高频SPTD开关。这种改进的高频SPDT开关与常规的SPDT开关相比，在输入电平上，1dB遏止电平(输入输出特性指数)要高5dB。