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公开(公告)号：CN1208815C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03148584.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76224 , H01L21/823475
Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。
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公开(公告)号：CN1416076A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02154759.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B23/024 , Y02P90/86
Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统，可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括：被诊断生产装置5；测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32～37；驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531；根据特征量传感器32～37的输出进行故障实时判定的模块533；将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103；包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。
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公开(公告)号：CN1194398C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02108327.4
申请日：2002-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C16/52
Abstract: 从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN101714561A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910224852.8
申请日：2007-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42336
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。
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公开(公告)号：CN1545140A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200410047644.2
申请日：2002-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C16/52
Abstract: 从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1471142A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148584.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76224 , H01L21/823475
Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。
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公开(公告)号：CN1403214A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02129077.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B08B11/00 , H01L21/302 , G05B19/05
CPC classification number: H04L12/66 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。第3发明，是进行目的为对设备进行效率良好的清洗的控制的系统。
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公开(公告)号：CN100585861C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710136087.5
申请日：2007-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42336
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凹凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。
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公开(公告)号：CN101110426A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136087.5
申请日：2007-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42336
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凹凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。
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公开(公告)号：CN1284218C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410047644.2
申请日：2002-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C16/52
Abstract: 一种基板温度测定方法，包括以下过程：圆柱杆状玻璃纤维具有一方的前端部和另一方的前端部，并且使形成于上述一方前端部的平坦面与垂直于温度测定对象即基板的主表面的侧面对置地配置上述玻璃纤维，上述玻璃纤维在上述一方的前端部具有相对上述玻璃纤维的中心轴平行的上述平坦面和相对上述玻璃纤维的中心轴倾斜地切成的斜面；从上述平坦面将从上述基板的侧面辐射的光取入到玻璃纤维内，在上述一方的前端部的上述斜面使其反射，将其引导至上述另一方的前端部。
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