公开(公告)号：CN1471142A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148584.7

申请日：2003-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桧山晋 ,  山本明人 ,  赤堀浩史 ,  斋田繁彦

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823475

Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。

公开(公告)号：CN1208815C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03148584.7

申请日：2003-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桧山晋 ,  山本明人 ,  赤堀浩史 ,  斋田繁彦

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823475

Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。