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公开(公告)号：CN119882276A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510114400.3
申请日：2025-01-24
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法，属于光学器件领域，包括金属基底层、Si介质层以及周期设置于Si介质层顶端的超表面单元，超表面单元为由VO2与金属复合形成的手性结构；超表面单元包括由第一中间金属框架和第二中间金属框架组成的中间结构以及设置于中间结构两侧的侧部金属条，第一中间金属框架和第二中间金属框架的相背侧的中间位置均镶嵌有VO2，第一中间金属框架和第二中间金属框架的相对侧的中间位置均连接有金属凸起。采用上述基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法，实现了通过调整二氧化钒的电导率，使超表面能够调节入射光的偏振状态，实现动态可调谐的功能。
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公开(公告)号：CN118731016B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410718351.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，属于光自旋霍尔效应调控领域，包括以下步骤：S1、仿真实验验证：S11、制备VO2薄膜样品；S12、求解样品的反射系数；S13、求解相变前后VO2薄膜样品表面光自旋霍尔效应的横移值；S2、实验验证：S21、搭建实验平台；S22、预热后，设定此时的光斑质心位置为初始位置；S23、绘制了光斑质心位置随温度变化的曲线；S3、交叉验证：判断利用温度调控VO2薄膜的光自旋霍尔效应的可行性。本发明采用上述基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，通过仿真、实验交叉验证了热光调控光自旋霍尔效应，为利用热致相变材料调控光学性质提供了新的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118642211B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118731016A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410718351.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，属于光自旋霍尔效应调控领域，包括以下步骤：S1、仿真实验验证：S11、制备VO2薄膜样品；S12、求解样品的反射系数；S13、求解相变前后VO2薄膜样品表面光自旋霍尔效应的横移值；S2、实验验证：S21、搭建实验平台；S22、预热后，设定此时的光斑质心位置为初始位置；S23、绘制了光斑质心位置随温度变化的曲线；S3、交叉验证：判断利用温度调控VO2薄膜的光自旋霍尔效应的可行性。本发明采用上述基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法，通过仿真、实验交叉验证了热光调控光自旋霍尔效应，为利用热致相变材料调控光学性质提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN118586058B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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公开(公告)号：CN118586058A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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公开(公告)号：CN118642211A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410728039.9
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，属于光学器件领域，包括呈周期性排布的多个超单元，超单元由全硅介质制备，且超单元包括长方体基座和垂直成型于长方体基座顶端的花瓣型立柱，花瓣型立柱包括垂直相交的两个椭圆立柱。本发明采用上述能够产生可观测光自旋霍尔效应横向位移的太赫兹超构器件及其在光自旋霍尔效应二维控制中的应用方法，可以对光波的相位、偏振等核心参数在不同的通道内进行同时控制，具有广泛的应用前景。
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