公开(公告)号：CN112673457B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980059660.8

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

公开(公告)号：CN112673457A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059660.8

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

公开(公告)号：CN110720138A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880037973.9

申请日：2018-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼兰詹·库玛尔 ,  金·拉姆库马尔·韦洛尔 ,  道格拉斯·H·伯恩斯 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，一种静电载具，包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。在另一实施方式中，一种晶粒组装系统，包含：静电载具，静电载具经配置以静电固定多个晶粒；载具保持平台，经配置以保持静电载具；晶粒输入平台；以及装载机器人，具有一动作范围，动作范围经配置以从晶粒输入平台拾取多个晶粒并将多个晶粒放置在静电载具上。

公开(公告)号：CN119361416A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411344557.7

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴加夫·S·西特拉 ,  杰思罗·塔诺斯 ,  李景义 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  华忠强 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/509 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。

公开(公告)号：CN116802784A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180088911.2

申请日：2021-11-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/677

Abstract: 本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基板载体旋转至处理位置。在使用电场对基板执行曝光后烘烤工艺之前，将基板载体旋转至平行于电极的工艺位置。

公开(公告)号：CN109478529A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043746.2

申请日：2017-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  怡利·Y·叶 ,  华钟强

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/513

Abstract: 描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。

公开(公告)号：CN116998001A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022399.6

申请日：2022-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 芒格什·阿肖克·邦阿 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  兰斯洛特·黄 ,  艾伦·L·曹 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  戴辉雄 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  克里斯托弗·S·恩盖

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具流出的流体的一个或多个特性。设备的再循环路径通常进一步包括在第一端处耦接至收集单元的第三端的净化单元，此净化单元在第二端处进一步耦接至探针的第二端，此净化单元用于改变流体的特性。

公开(公告)号：CN108022866A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711001357.1

申请日：2017-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  华仲强 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  库马尔·尼兰詹 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68785 ,  H01L2021/6006 ,  H01L2221/68304

Abstract: 描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。

公开(公告)号：CN107430992A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014686.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛君 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  迈克尔·W·斯托厄尔 ,  起威·梁 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664

Abstract: 本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；及(b)通过将基板暴露于等离子体而处理全部或大体上全部的沉积材料层，所述等离子体在处理腔室内由第二等离子体源产生；其中远程等离子体源或第二等离子体源中的至少之一被脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

公开(公告)号：CN118284857A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280076921.9

申请日：2022-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  金贤埈 ,  艾伦·L·曹 ,  谢卡尔·阿塔尼 ,  梁奇伟 ,  怡利·Y·叶

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本文描述了用于执行暴露后烘烤冷却操作的方法和设备。所述方法通过暴露后烘烤设置在处理腔室中的经加热基板支撑件上的基板来开始，所述处理腔室具有喷头。经加热基板支撑件经移动以增加经加热基板支撑件与喷头的冷却板之间的距离。使用基板升降装置将基板与经加热基板支撑件分离。基板被移动至冷却喷头附近。基板被冷却，直至基板低于约70摄氏度。使用基板升降装置将基板与冷却喷头间隔开，以及将基板与处理腔室的基板传送通道对准，以便由机械手移除。