公开(公告)号：CN116802784A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180088911.2

申请日：2021-11-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/677

Abstract: 本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基板载体旋转至处理位置。在使用电场对基板执行曝光后烘烤工艺之前，将基板载体旋转至平行于电极的工艺位置。

公开(公告)号：CN110226222A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880007192.5

申请日：2018-01-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 大卫·班杰明森 ,  肯·沙茨 ,  德米特里·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种用于基板支撑组件的加热器组件，包含柔性主体。加热器组件进一步包含设置在柔性主体中的一或多个电阻式加热元件。加热器组件进一步包含第一金属层，第一金属层设置在柔性主体的顶表面上，并至少部分延伸至柔性主体的外侧壁上。加热器组件进一步包含第二金属层，第二金属层设置在柔性主体的底表面上，并至少部分延伸至柔性主体的外侧壁上，其中第二金属层在柔性主体的外侧壁处耦合至第一金属层，使得第一金属层与第二金属层包围柔性主体的外侧壁，并在柔性主体的外侧壁周围形成连续导电路径。

公开(公告)号：CN115461837A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030309.3

申请日：2021-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 萨马莎·苏布拉曼亚 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 ,  朱拉拉 ,  马丁·Y·乔伊 ,  松·T·阮 ,  普拉纳夫·戈帕尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室可包括基座，该基座被配置为支撑半导体基板，其中喷头及基座至少部分地限定半导体腔室内的处理区域。该腔室可包括间隔件，该间隔件的特征为与该喷头接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该腔室可包括泵送衬垫，该泵送衬垫的特征为与间隔件接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。泵送衬垫可以在泵送衬垫的第一表面内限定多个孔隙。

公开(公告)号：CN110383450A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016573.X

申请日：2018-01-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼科莱·尼科拉维奇·卡林 ,  托安·Q·特兰 ,  德米特里·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形主体。所述顶部表面具有在所述顶部表面中形成的一个或多个通孔，布置成与所述第一真空泵开口同心的图案。所述底部表面具有在所述底部表面中形成的流体通路，内部连接所述一个或多个通孔的每一个。在所述实质环形主体中形成所述开口，所述开口实质上与所述真空泵开口对齐。在所述主体中在所述泵送环之上放置所述对称流动阀，所述对称流动阀可在升高位置和降低位置之间移动。

公开(公告)号：CN116917811A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015192.6

申请日：2022-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯•A•布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼

IPC: G03F7/38

Abstract: 本文提供了一种方法和设备，用于在光刻工艺期间将电场和/或磁场施加到光刻胶层，而没有气隙干预。这些方法和设备中的每一者包括电极组件和底座组件，电极组件和底座组件被配置为密封在一起并且形成工艺容积。所述电极组件包括可渗透的电极，所述底座组件被配置为支撑基板并且在暴露后烘烤操作期间加热所述基板。一个或多个工艺流体通道被配置为用工艺流体填充所述工艺容积。所述电极组件被配置为在暴露后烘烤操作期间将电场施加到设置在所述工艺容积内的所述基板。

公开(公告)号：CN119856120A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064584.6

申请日：2023-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴辉雄 ,  芒格什·阿肖克·邦阿 ,  许志安 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  怡利·Y·叶

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本文中描述一种用于执行曝光后烘烤操作的方法及设备。在基板上的光致抗蚀剂曝光之后，在烘烤工艺期间加热基板以促进对抗蚀剂的保护。在真空环境中在次大气压的压力下执行烘烤工艺。在以减少的压力进行烘烤之后，使基板冷却。在次大气压的压力下执行冷却工艺。在环境压力下执行抗蚀剂的进一步显影。

公开(公告)号：CN116998001A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022399.6

申请日：2022-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 芒格什·阿肖克·邦阿 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  兰斯洛特·黄 ,  艾伦·L·曹 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  戴辉雄 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  克里斯托弗·S·恩盖

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具流出的流体的一个或多个特性。设备的再循环路径通常进一步包括在第一端处耦接至收集单元的第三端的净化单元，此净化单元在第二端处进一步耦接至探针的第二端，此净化单元用于改变流体的特性。

公开(公告)号：CN117043388A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023468.5

申请日：2022-03-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  小道格拉斯·亚瑟·布池贝尔格尔 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  谢卡尔·阿塔尼

IPC: C23C16/458

Abstract: 本文提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，用于化学气相沉积(CVD)腔室的基板支撑件包括：用于支撑基板的基座，其中该基座包括耦接到基座主体的介电板；旋转接头，其耦接到基座，其中旋转接头包括围绕转子设置的固定外壳；耦接到旋转接头的驱动组件；冷却剂接头，其耦接到旋转接头并且具有冷却剂入口，该冷却剂入口通过冷却剂管线流体地耦接到设置在基座中的冷却剂通道；RF旋转接合件，其耦接到冷却剂接头并具有构造为将基座耦接到RF偏压功率源的RF连接器；以及RF导管，其从RF连接器通过基座主体的中心开口延伸到基座以向基座提供RF偏压。

公开(公告)号：CN116845002A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310683494.7

申请日：2018-01-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼科莱·尼科拉维奇·卡林 ,  托安·Q·特兰 ,  德米特里·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  F16K51/02 ,  H01L21/687 ,  F16K5/12 ,  C23C16/50 ,  F04D27/00 ,  C23C16/52 ,  B01F35/71

Abstract: 此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形主体。所述顶部表面具有在所述顶部表面中形成的一个或多个通孔，布置成与所述第一真空泵开口同心的图案。所述底部表面具有在所述底部表面中形成的流体通路，内部连接所述一个或多个通孔的每一个。在所述实质环形主体中形成所述开口，所述开口实质上与所述真空泵开口对齐。在所述主体中在所述泵送环之上放置所述对称流动阀，所述对称流动阀可在升高位置和降低位置之间移动。

公开(公告)号：CN110383450B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201880016573.X

申请日：2018-01-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼科莱·尼科拉维奇·卡林 ,  托安·Q·特兰 ,  德米特里·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形主体。所述顶部表面具有在所述顶部表面中形成的一个或多个通孔，布置成与所述第一真空泵开口同心的图案。所述底部表面具有在所述底部表面中形成的流体通路，内部连接所述一个或多个通孔的每一个。在所述实质环形主体中形成所述开口，所述开口实质上与所述真空泵开口对齐。在所述主体中在所述泵送环之上放置所述对称流动阀，所述对称流动阀可在升高位置和降低位置之间移动。