公开(公告)号：CN109417028B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201780039924.4

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴尔加夫·西特拉 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  维亚斯拉夫·巴比扬 ,  迈克尔·斯托厄尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤：在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等离子体可为射频(“RF”)等离子体，该射频等离子体在实施方式中可至少部分地由RF偏压电源所形成，该RF偏压电源在约10W及约100W之间运作。该RF偏压电源亦可用低于约5,000Hz的一频率发出脉冲。这些方法亦可包括以下步骤：相较于该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的第二种材料以更高的蚀刻速率蚀刻该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的一种暴露的材料。

公开(公告)号：CN109417028A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039924.4

申请日：2017-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巴尔加夫·西特拉 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  维亚斯拉夫·巴比扬 ,  迈克尔·斯托厄尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 半导体系统及方法可包括执行选择性蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：使半导体基板上的材料改性。该半导体基板可在该半导体基板的表面上具有至少两种暴露的材料。所述方法可包括以下步骤：在容纳该半导体基板的处理腔室內形成低功率等离子体。该低功率等离子体可为射频(“RF”)等离子体，该射频等离子体在实施方式中可至少部分地由RF偏压电源所形成，该RF偏压电源在约10W及约100W之间运作。该RF偏压电源亦可用低于约5,000Hz的一频率发出脉冲。这些方法亦可包括以下步骤：相较于该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的第二种材料以更高的蚀刻速率蚀刻该半导体基板的该表面上的所述至少两种暴露的材料中的一种暴露的材料。

公开(公告)号：CN112640074B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201980054661.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿迪卜·汗 ,  梁奇伟 ,  苏坦·马立克 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  拉菲卡·斯马蒂 ,  约瑟夫·恩济 ,  约翰·奥海尔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及气体减弱设备和流出物管理。这里描述的设备包括高压处理腔室和围绕处理腔室的容纳腔室。高压流体输送模块与高压处理腔室流体连通，且高压流体输送模块经构造以将高压流体输送到处理腔室。流出物管理模块包括用于降低流出物压力的消音器组件和用于处理流出物的多个洗涤器。

公开(公告)号：CN110945626A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880034866.0

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司 ,  加利福尼亚大学董事会

Inventor： 雷蒙德·洪 ,  金南成 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  怡利·叶 ,  郑崔 ,  克里斯托弗·艾尔斯 ,  安德鲁·库梅尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，以及该含硅表面为氢封端。将基板暴露于MoF6前驱物和Si2H6前驱物的连续循环，然后进行Si2H6的过量暴露，以将包含MoSi2的MoSix材料选择性地沉积在基板的含硅表面上。

公开(公告)号：CN107430992B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201680014686.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛君 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  迈克尔·W·斯托厄尔 ,  起威·梁 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；及(b)通过将基板暴露于等离子体而处理全部或大体上全部的沉积材料层，所述等离子体在处理腔室内由第二等离子体源产生；其中远程等离子体源或第二等离子体源中的至少之一被脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

公开(公告)号：CN112640074A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980054661.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿迪卜·汗 ,  梁奇伟 ,  苏坦·马立克 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  拉菲卡·斯马蒂 ,  约瑟夫·恩济 ,  约翰·奥海尔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及气体减弱设备和流出物管理。这里描述的设备包括高压处理腔室和围绕处理腔室的容纳腔室。高压流体输送模块与高压处理腔室流体连通，且高压流体输送模块经构造以将高压流体输送到处理腔室。流出物管理模块包括用于降低流出物压力的消音器组件和用于处理流出物的多个洗涤器。

公开(公告)号：CN110945626B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880034866.0

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司 ,  加利福尼亚大学董事会

Inventor： 雷蒙德·洪 ,  金南成 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  怡利·叶 ,  郑崔 ,  克里斯托弗·艾尔斯 ,  安德鲁·库梅尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，以及该含硅表面为氢封端。将基板暴露于MoF6前驱物和Si2H6前驱物的连续循环，然后进行Si2H6的过量暴露，以将包含MoSi2的MoSix材料选择性地沉积在基板的含硅表面上。

公开(公告)号：CN107430992A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014686.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛君 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  迈克尔·W·斯托厄尔 ,  起威·梁 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664

Abstract: 本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；及(b)通过将基板暴露于等离子体而处理全部或大体上全部的沉积材料层，所述等离子体在处理腔室内由第二等离子体源产生；其中远程等离子体源或第二等离子体源中的至少之一被脉冲化以控制沉积周期及处理周期。