公开(公告)号：CN116802784A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180088911.2

申请日：2021-11-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/677

Abstract: 本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基板载体旋转至处理位置。在使用电场对基板执行曝光后烘烤工艺之前，将基板载体旋转至平行于电极的工艺位置。

公开(公告)号：CN116917811A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015192.6

申请日：2022-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯•A•布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼

IPC: G03F7/38

Abstract: 本文提供了一种方法和设备，用于在光刻工艺期间将电场和/或磁场施加到光刻胶层，而没有气隙干预。这些方法和设备中的每一者包括电极组件和底座组件，电极组件和底座组件被配置为密封在一起并且形成工艺容积。所述电极组件包括可渗透的电极，所述底座组件被配置为支撑基板并且在暴露后烘烤操作期间加热所述基板。一个或多个工艺流体通道被配置为用工艺流体填充所述工艺容积。所述电极组件被配置为在暴露后烘烤操作期间将电场施加到设置在所述工艺容积内的所述基板。