公开(公告)号：CN116998001A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022399.6

申请日：2022-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 芒格什·阿肖克·邦阿 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  兰斯洛特·黄 ,  艾伦·L·曹 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  戴辉雄 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  克里斯托弗·S·恩盖

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具流出的流体的一个或多个特性。设备的再循环路径通常进一步包括在第一端处耦接至收集单元的第三端的净化单元，此净化单元在第二端处进一步耦接至探针的第二端，此净化单元用于改变流体的特性。

公开(公告)号：CN116982144A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180093719.2

申请日：2021-04-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 ,  凯尔·M·汉森 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  阿兰·L·佐 ,  拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 ,  保罗·R·麦克休 ,  孙佳怡 ,  奇伟·梁 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯 ,  兰斯洛特·黄 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。

公开(公告)号：CN113994456A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080045314.7

申请日：2020-06-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾伦·曹 ,  梁奇伟 ,  兰斯洛特·黄 ,  高塔姆·皮莎罗蒂

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  G03F7/38

Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的方法及设备。更特定而言，本文描述的实施方式涉及场引导的曝光后烘烤(iFGPEB)腔室及处理。在一个实施方式中，将基板传送至曝光后处理腔室中，且接着通过多个升降销将基板抬升至预处理位置。基板支撑件接着被抬升以与基板接合，且在iFGPEB处理之前真空吸附基板于其上。