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公开(公告)号：CN117395319A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311393668.2
申请日：2023-10-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种编码器协议转换器、转换方法、电子设备及存储介质，编码器协议转换器通过数字信号输入接口接收数字编码器发送的数字信号并将数字信号发送给FPGA，由FPGA对数字信号进行协议解析以获取数字编码器的第一转子角度，通过模拟信号输入接口接收正余弦编码器发送的正余弦信号并将正余弦信号发送给MCU，由MCU基于正余弦信号确定正余弦编码器的第二转子角度，以及在未收到数据请求命令时基于转子角度确定输出正余弦信号，并通过模拟信号输出接口将输出正余弦信号发送给伺服驱动器，利用FPGA在接收到伺服驱动器以目标协议发送的数据请求命令时通过数字信号输出接口以目标协议将转子角度发送给伺服驱动器。本方案提高了伺服驱动器对编码器的兼容性。
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公开(公告)号：CN114086136B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN114279481B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
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公开(公告)号：CN115233089A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210529639.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN119372601A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411553044.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于磁性材料及传感技术领域领域，具体公开了一种磁码盘材料、角位移磁传感器、数控机床高速电主轴及制备方法，该磁码盘材料包括金属衬底、Ta缓冲层、FeCoCr夹合TaN低维磁性薄膜和Ta保护层，还公开了一种利用此磁码盘材料制成的角位移磁传感器，该角位移磁传感器AB相充磁磁极512个，间距0.4mm；Z相充磁磁极1个，宽度0.4mm，且Z相不扩散。本发明所公开的磁码盘材料具有更加优异的磁畴尺寸，具有优秀的矫顽力和剩磁性能，进而在应用于角位移磁传感器时可以提供更优异的磁极密度，使得信号密度更高，通过磁传感器AB相与Z相的匹配结构，进而使得角位移磁传感器具有更加优异的精密度，从而在应用于数控机床高速电主轴时可以提升数控机床的精密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117309009A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311247697.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D5/244
Abstract: 本发明实施例涉及编码器精度补偿的技术领域，公开了一种编码器精度补偿电路以及编码器精度补偿装置，该编码器精度补偿电路包括信号处理电路、角度偏差测量电路以及可编程逻辑阵列，信号处理电路获取编码器发出的多路正余弦信号，并将多路正余弦信号转换为对应的角度数字信号。角度偏差测量电路对角度数字信号的角度偏差进行测量以得到角度偏差数据，可编程逻辑阵列根据角度偏差数据对角度数字信号进行角度补偿，并将补偿后的角度数字信号输出至伺服驱动器，以提高伺服电机接收的角度数字信号的精度。从而能在使得在此过程中编码器的精度趋近于编码器本身的重复精度。
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公开(公告)号：CN115394761A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210916550.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
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公开(公告)号：CN114086136A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN115568274A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211268100.3
申请日：2022-10-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺。本发明的磁阻元件，两端磁阻条长度较小、中间磁阻条长度较大，根据磁阻条的长宽比与退磁场的规律，磁阻条厚度一定时，长宽比越大，退磁场越大，即当磁阻条厚度与宽度一定时，长度越大，退磁场越大，因此，本发明的磁阻元件结构中两端磁阻条较短，中间磁阻条较长的类椭圆设计，可以有效改善AMR元件中沿宽度方向退磁场分布不均匀的问题；将本发明的磁阻元件应用于AMR磁阻传感器中，可使AMR磁阻传感器输出特性曲线的饱和场变小，从而提高磁阻传感器的输出信号。
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公开(公告)号：CN115157135A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210641215.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及工业工程技术领域，公开了一种快速装夹装置。快速装夹装置包括底座、安装结构、转动结构、第一复位弹性件和多个夹紧件，安装结构设置于底座上，安装结构对应设有多个径向滑槽；转动结构转动设置于安装结构上，位于安装结构和底座之间，转动结构对应多个径向滑槽设有多个偏心滑槽，偏心滑槽与径向滑槽在同一投影面上呈预设夹角设置；第一复位弹性件的一端设置于安装结构上，另一端设置于转动结构上；各夹紧件分别穿过径向滑槽并对应滑动设置于偏心滑槽上；在装夹工件时，转动转动结构带动夹紧件做径向远离圆心运动，松开转动结构，第一复位弹性件复位，带动夹紧件做径向靠近圆心运动快速将工件夹紧。装夹时间短、效率和通用性高。
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