公开(公告)号：CN101855704B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880115930.4

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

公开(公告)号：CN100468626C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610082420.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

公开(公告)号：CN1265423C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN02141410.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/949

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

公开(公告)号：CN102652330A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二(已死亡) ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：CN1862769A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082420.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐野泰之 ,  原明人 ,  竹井美智子 ,  佐佐木伸夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

Abstract: 按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

公开(公告)号：CN101689479B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880021899.8

申请日：2008-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  斯蒂文·道罗斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

公开(公告)号：CN101884096A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

公开(公告)号：CN101884090A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118934.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川和男 ,  竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  松本晋 ,  多田宪史 ,  高藤裕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。

公开(公告)号：CN101351872B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680050353.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  竹井美智子 ,  富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。

公开(公告)号：CN102473727B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。