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公开(公告)号：CN100428436C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610118690.6
申请日：2006-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流-电压拟合法(I-V)、电容-电压拟合法(1/C2-V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I-V法、1/C2-V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN101140875A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710047189.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层或Ni、Ho共淀积工艺最终对应形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si或Ni(Ho)/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再通过退火处理使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。该方法能够有效调节NiSi全硅化物金属栅的功函数使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN101038876A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710037274.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备NiSi/Si肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一层硅的氧化物层；然后在金属镍电极淀积之后对硅片进行快速热退火和选择腐蚀处理，从而形成NiSi/Si肖特基二极管。该方法能够极大改善利用掩膜版制备的NiSi/Si肖特基二极管的整流特性，同时具有工艺简单的优点。与同样工艺条件下但没有界面氧化层的肖特基二极管相比，二极管特性得到显著改善。
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公开(公告)号：CN1571126A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410017840.5
申请日：2004-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。
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公开(公告)号：CN102543755A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004176.5
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185037A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110120952.3
申请日：2011-05-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , B82Y40/00 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能提高光电转换效率的硅纳米柱太阳能电池及其制造方法。本发明在硅纳米柱太阳能电池衬底端表面加入纳米尺寸金属铝圆柱体颗粒，通过引入局域表面等离激元共振效应，提升太阳能电池吸收率，从而提高硅纳米柱太阳能电池的光电转换效率。金属铝的使用，相对于常用贵金属（如金、银），可大幅降低生产成本，同时得到更好的吸收增强效果。
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公开(公告)号：CN102157692A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN100346454C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410017840.5
申请日：2004-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。
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公开(公告)号：CN1964012A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118690.6
申请日：2006-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流－电压拟合法(I－V)、电容－电压拟合法(1/C2－V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I－V法、1/C2－V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN102403234B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110413439.3
申请日：2011-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。
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