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公开(公告)号：CN117202774A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311401643.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化铪基铁电电容器的制备方法，应用于低电场操作中，包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层的表面形成第一氧化铪基铁电薄膜层；在第一氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第一插入层；在第一插入层的表面形成第二氧化铪基铁电薄膜层；在第二氧化铪基铁电薄膜层的表面形成第二电极层；其中，第一电极层、第一氧化铪基铁电薄膜层、第一插入层、第二氧化铪基铁电薄膜层以及第二电极层沿远离衬底的方向依次堆叠于衬底上，以形成氧化铪基铁电电容器；在第一温度的条件下，对氧化铪基铁电电容器进行退火处理；其中，第一温度为：330～450℃。本发明提供的技术方案，实现了在低热预算的条件下，制备性能优异的铁电电容存储器的问题。
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公开(公告)号：CN116825812A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310752146.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电存储晶体管及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在衬底上沉积W电极，并使用紫外光刻、干法刻蚀进行栅电极隔离，然后，生长氧化铪基铁电薄膜，接着继续沉积W作为金属牺牲层，将所得结构进行快速热退火形成铁电相后将W牺牲层去除，紧接着生长氧化铪薄膜作为界面阻挡层，在此之后，沉积铟镓锌氧作为半导体沟道并通过光刻、湿法刻蚀等工艺形成沟道区域，最后制备源漏电极得到铁电存储晶体管。在本发明的铁电存储晶体管结构中，通过添加氧化铪作为半导体沟道与氧化铪基铁电薄膜的界面阻挡层，来阻挡铁电存储晶体管在不断地擦除和写入过程中的界面注入以及降低界面缺陷，实现高性能的数据存储功能。
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公开(公告)号：CN110148525A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910316705.7
申请日：2019-04-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于能量存储器件技术领域，具体为一种基于富氢氧化硅固态电解质的超级电容及其制备方法。本发明超级电容包含衬底、设置在衬底表面上的下金属电极、富氢氧化硅电解质以及上金属电极。本发明提供的超级电容与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉，可以用作硅基电子设备的能量存储部件；富氢氧化硅内部含有大量可自由移动的氢质子，因此可以作为固态电解质，而且充放电稳定性好。富氢氧化硅是利用等离子体增强原子层沉积技术直接生长在电极表面，厚度可以灵活改变，利于在高深宽比的硅纳米结构表面填充。
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公开(公告)号：CN109542392A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811329936.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/501
CPC classification number: G06F7/501
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路。本发明电路由一传统基于阻变类型存储器交叉阵列的加权求和电路和一个电流采样电路构成；其工作分为两个阶段，第一阶段是预充电，第二阶段是加权求和和电流采样；本发明采用阻变类型存储器的交叉阵列对一组输入电压实现加权求和操作，结果以电流和形式表征，并采用电流采样将电流和转换成电荷储存。相比传统做法，本发明可以缩短加权求和操作中直流的持续时间，有利于降低功耗。
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公开(公告)号：CN108315717A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810068633.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/4554 , C23C16/45553
Abstract: 本发明公开了一种氮化锰薄膜的制备方法，其是在反应腔中的衬底上进行至少一次反应循环，包含以下步骤：步骤1，以脉冲的方式向反应腔中通入前驱体Mn(EtCp)2蒸气；步骤2，通入吹洗用气体；步骤3，以脉冲的方式向反应腔中通入NH3气体，同时开启等离子体发生器使其电离产生NH3等离子体，并与吸附于衬底表面的Mn(EtCp)2发生化学反应；步骤4，通入吹洗用气体；氮化锰薄膜厚度依反应循环次数而定。本发明的制备方法工艺简便，制得的氮化锰薄膜中Mn和N的原子比为1.9~2.4，金属含量比例较高，且具有均匀性好、表面平整度高、电阻率低等优点，不需后退火便可在介质表面形成阻挡层薄膜，与集成电路后道互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107482014A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710538920.2
申请日：2017-07-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
CPC classification number: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层与外界完全隔离；所述电荷俘获层的材料为ZnO、In2O3、Ga2O3、SnO2、InSnO或IGZO中的任意一种。本发明所制备的薄膜晶体管存储器的电荷俘获层完全被电荷隧穿层包围，与外界完全隔离，防止了在工艺过程中电荷俘获层的物理性质和化学组成发生改变，减少了存储在电荷俘获层中电荷的流失，提高了数据的保持特性和器件性能的稳定性；采用金属氧化物半导体薄膜作为存储器的电荷俘获层，可以实现多级单元存储，提高了存储密度。
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公开(公告)号：CN109148594B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810778756.7
申请日：2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃下，生长IGZO沟道层；步骤5，对步骤4所得的器件进行紫外曝光、刻蚀形成沟道；步骤6，进行第二次光刻，蒸镀源漏电极，去光刻胶，无需进行退火处理，得到底栅型高性能薄膜晶体管。本发明提供了高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺，并且该薄膜晶体管具有对不同波长光的响应能力可用于柔性电子、光电探测、生物电子等领域。
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公开(公告)号：CN109609927A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910068247.X
申请日：2019-01-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得碳氮掺杂的金属钴薄膜；其中，碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控，与集成电路制造工艺兼容性好，生长温度低，生长温度区间大，电阻率低，表面均匀平整。
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公开(公告)号：CN109148594A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810778756.7
申请日：2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/285 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步骤4，在20~40℃下，生长IGZO沟道层；步骤5，对步骤4所得的器件进行紫外曝光、刻蚀形成沟道；步骤6，进行第二次光刻，蒸镀源漏电极，去光刻胶，无需进行退火处理，得到底栅型高性能薄膜晶体管。本发明提供了高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺，并且该薄膜晶体管具有对不同波长光的响应能力可用于柔性电子、光电探测、生物电子等领域。
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公开(公告)号：CN107475685A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710355358.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种InOC薄膜的制备方法，包含以下步骤：步骤1，在反应腔体中放置用于InOC薄膜生长的衬底，并对衬底进行加热；步骤2，以脉冲的方式向反应腔中通入InCp蒸气；脉冲操作结束后，将InCp蒸气在腔体中停留一段时间；步骤3，向反应腔中通入惰性气体；步骤4，以脉冲的方式并以惰性气体为载气向反应腔中通入H2O2蒸气；脉冲操作结束后，将H2O2蒸气在腔体中停留一段时间；步骤5，向反应腔中通入惰性气体；步骤6，重复步骤2～5，以获得不同厚度的InOC薄膜。本发明制备的InOC薄膜的工艺温度较低、氧空位浓度低、具有很好的均匀性、表面平整度以及纳米量级厚度可控能力。
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