公开(公告)号：CN107482014B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710538920.2

申请日：2017-07-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  钱仕兵 ,  刘文军 ,  张卫

IPC: H01L27/11568

Abstract: 本发明公开了一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层与外界完全隔离；所述电荷俘获层的材料为ZnO、In2O3、Ga2O3、SnO2、InSnO或IGZO中的任意一种。本发明所制备的薄膜晶体管存储器的电荷俘获层完全被电荷隧穿层包围，与外界完全隔离，防止了在工艺过程中电荷俘获层的物理性质和化学组成发生改变，减少了存储在电荷俘获层中电荷的流失，提高了数据的保持特性和器件性能的稳定性；采用金属氧化物半导体薄膜作为存储器的电荷俘获层，可以实现多级单元存储，提高了存储密度。

公开(公告)号：CN106920755A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710079102.0

申请日：2017-02-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  钱仕兵 ,  王永平 ,  张卫

IPC: H01L21/443 ,  H01L27/11568 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/443 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明公开了一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用。该方法包含：步骤1，将覆盖有绝缘介质的衬底置于反应腔体中；步骤2，将上述衬底和反应腔升温至220～310℃；步骤3，以脉冲方式向反应腔中通入NiCp2蒸气；步骤4，通入惰性气体，以将多余的NiCp2蒸气吹洗干净；步骤5，向反应腔中通入NH3和Ar的混合气体，同时开启等离子体发生器以产生NH3等离子体；步骤6，通入惰性气体，以将未反应NH3等离子体和反应副产物吹洗干净；步骤7，重复步骤3‑6 n次，获得镍纳米颗粒，其中，n=50～125。本发明制备的镍纳米颗粒作为a‑IGZO薄膜晶体管存储器的电荷俘获中心，具有良好的电荷俘获能力，且工艺简单，生长温度低，与薄膜晶体管存储器制造工艺相兼容，应用前景较好。

公开(公告)号：CN107482014A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710538920.2

申请日：2017-07-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  钱仕兵 ,  刘文军 ,  张卫

IPC: H01L27/11568

CPC classification number: H01L27/11568

Abstract: 本发明公开了一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层与外界完全隔离；所述电荷俘获层的材料为ZnO、In2O3、Ga2O3、SnO2、InSnO或IGZO中的任意一种。本发明所制备的薄膜晶体管存储器的电荷俘获层完全被电荷隧穿层包围，与外界完全隔离，防止了在工艺过程中电荷俘获层的物理性质和化学组成发生改变，减少了存储在电荷俘获层中电荷的流失，提高了数据的保持特性和器件性能的稳定性；采用金属氧化物半导体薄膜作为存储器的电荷俘获层，可以实现多级单元存储，提高了存储密度。