公开(公告)号：CN1287639C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN03141803.1

申请日：2003-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  詹义强 ,  熊祖洪 ,  丁训民

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/14 ,  H01L51/5092 ,  H05B33/20

Abstract: 一种采用双亲分子超薄膜作为有机发光器件中有机电子传输层与金属电极之间连接层或缓冲层及其制备方法。传统的有机发光器件中的缓冲层是无机缓冲层，缓冲层的引入改善了有机发光器件的电子注入，提高了有机发光器件的效率。但是传统的缓冲层材料LiF是种无机材料，有机材料和无机材料在化学性质上存在着巨大差异，由此产生了的有机发光器件的不稳定性。本发明引入双亲分子脂肪酸盐超薄膜缓冲层可以紧密地连接有机层和金属电极，用常规的热蒸发系统即能制得该缓冲层，这种分子的弹性长链结构使得该缓冲层具有较强的抗热冲击的能力，从而增强了有机发光器件的热稳定性，提高了电子注入。

公开(公告)号：CN1048355C

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

公开(公告)号：CN102142522B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110000184.8

申请日：2011-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  武博 ,  孙晓宇 ,  李文彬 ,  孙正义 ,  丁训民

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载流子的产生，从而填补了传统有机光电器件领域的一个认识盲区，为有机光电器件的性能改善开辟了新的途径。

公开(公告)号：CN100375311C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410089314.X

申请日：2004-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  宋群梁 ,  丁训民

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/30 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/424 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明属有机光电器件技术领域，具体为一种有机太阳能结构及其制备方法。该有机太阳能电池结构依次由掺杂的有机空穴传输层、不掺杂的空穴传输层、载流子产生层、电子传输层、电子阻挡层、阴极组成。其中，不掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc，掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc掺杂F4-TCNQ，载流子产生层采用共蒸发的CuPc和C60或CuPc和PTCBI，电子传输层采用C60或PTCBI，电子阻挡层采用BCP或AlQ3。各有机层可采用真空蒸发、喷涂、打印等各种沉积有机膜的方法来制备。本发明可大大提高有机太阳能电池的能量转换效率和使用寿命。

公开(公告)号：CN1053063C

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/31

Abstract: 一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

公开(公告)号：CN1617355A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410089314.X

申请日：2004-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  宋群梁 ,  丁训民

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L51/20 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/424 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明属有机光电器件技术领域，具体为一种有机太阳能结构及其制备方法。该有机太阳能电池结构依次由掺杂的有机空穴传输层、不掺杂的空穴传输层、载流子产生层、电子传输层、电子阻挡层、阴极组成。其中，不掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc，掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc掺杂F4－TCNQ，载流子产生层采用共蒸发的CuPc和C60或CuPc和PTCBI，电子传输层采用C60或PTCBI，电子阻挡层采用BCP或AlQ3。各有机层可采用真空蒸发、喷涂、打印等各种沉积有机膜的方法来制备。本发明可大大提高有机太阳能电池的能量转换效率和使用寿命。

公开(公告)号：CN1146632A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116401.8

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  陈溪滢 ,  曹先安 ,  朱炜 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后，微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构，得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

公开(公告)号：CN1146631A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96116400.X

申请日：1996-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹先安 ,  陈溪滢 ,  李喆深 ,  丁训民 ,  侯晓远 ,  王迅

IPC: H01L21/314

Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

公开(公告)号：CN1105780A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种用氯化硫钝化III-V族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度，本发明用氯化硫处理III-V族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为III-V族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

公开(公告)号：CN100369293C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510023306.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  王子君 ,  丁训民

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1-10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。