公开(公告)号：CN1105780A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种用氯化硫钝化III-V族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度，本发明用氯化硫处理III-V族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为III-V族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

公开(公告)号：CN1053063C

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN94112024.4

申请日：1994-01-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  李喆深 ,  蔡卫中 ,  王为 ,  丁训民 ,  董国胜 ,  王迅

IPC: H01L21/31

Abstract: 一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。