公开(公告)号：CN102142522B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110000184.8

申请日：2011-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  武博 ,  孙晓宇 ,  李文彬 ,  孙正义 ,  丁训民

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载流子的产生，从而填补了传统有机光电器件领域的一个认识盲区，为有机光电器件的性能改善开辟了新的途径。

公开(公告)号：CN102142522A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110000184.8

申请日：2011-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 侯晓远 ,  武博 ,  孙晓宇 ,  李文彬 ,  孙正义 ,  丁训民

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载流子的产生，从而填补了传统有机光电器件领域的一个认识盲区，为有机光电器件的性能改善开辟了新的途径。