公开(公告)号：CN1132224C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98125533.7

申请日：1998-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·惠勒 ,  J·A·曼德曼 ,  R·D·米

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/28

Abstract: 提供一种光掩模和使用光掩模制成尺寸可控的光致抗蚀剂图形。使用本发明的掩模在具体控制的散焦条件下曝光其上覆盖光致抗蚀剂的晶片，以提供尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。包括在掩模上至少一个光掩蔽图形的一面上的多相移结构的掩模提供了能穿过光的掩模，该掩模在光掩蔽材料那面上具有多个相位，产生尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。

公开(公告)号：CN1339827A

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN01121726.X

申请日：2001-07-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  J·A·曼德曼 ,  R·杰米 ,  O·格鲁斯辰科夫 ,  I·麦斯塔 ,  黄洸汉 ,  J·E·法特梅尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4941

Abstract: 半导体器件,尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层,在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体,它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合,但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。

公开(公告)号：CN1222998C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01119790.0

申请日：2001-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·L·伯蒂 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  R·J·豪赫顿 ,  J·A·曼德曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构，它可能占据很少的芯片空间，并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声，被有效地与本底硅层隔离开来，这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此，在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。

公开(公告)号：CN1204629C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN01121726.X

申请日：2001-07-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文杰 ,  J·A·曼德曼 ,  R·杰米 ,  O·格鲁斯辰科夫 ,  I·麦斯塔 ,  黄洸汉 ,  J·E·法特梅尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4941

Abstract: 半导体器件，尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层，在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体，它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合，但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。

公开(公告)号：CN1327267A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01119790.0

申请日：2001-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·L·伯蒂 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  R·J·豪赫顿 ,  J·A·曼德曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构,它可能占据很少的芯片空间,并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声,被有效地与本底硅层隔离开来,这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此,在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。

公开(公告)号：CN1224233A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98125533.7

申请日：1998-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·惠勒 ,  J·A·曼德曼 ,  R·D·米

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/28

Abstract: 提供一种光掩模和使用光掩模制成尺寸可控的光致抗蚀剂图形。使用本发明的掩模在具体控制的散焦条件下曝光其上覆盖光致抗蚀剂的晶片,以提供尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。包括在掩模上至少一个光掩蔽图形的一面上的多相移结构的掩模提供了能穿过光的掩模,该掩模在光掩蔽材料那面上具有多个相位,产生尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。