公开(公告)号：CN1222998C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01119790.0

申请日：2001-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·L·伯蒂 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  R·J·豪赫顿 ,  J·A·曼德曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构，它可能占据很少的芯片空间，并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声，被有效地与本底硅层隔离开来，这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此，在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。

公开(公告)号：CN1327267A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01119790.0

申请日：2001-05-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·L·伯蒂 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  R·J·豪赫顿 ,  J·A·曼德曼 ,  W·R·通蒂

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能在低电压和低电流下编程的抗熔丝结构,它可能占据很少的芯片空间,并被制作在诸如绝缘体上硅之类的组合物衬底上。抗熔丝的编程或采取选择形成导体位置的方法和/或采取损伤电容器状结构的电介质的方法。一种绝缘颈圈被用来限制损伤只发生在所希望的位置。编程电流引起的热效应电压和噪声,被有效地与本底硅层隔离开来,这就允许在该器件正常工作的状态下进行编程。因此,在不中断工作的情况下得以实现自修复的潜能。