-
公开(公告)号：CN110408989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
-
公开(公告)号：CN110129878B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN107099845B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
-
公开(公告)号：CN113564706B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为#imgabs0#其晶格常数为#imgabs1#该晶体显示新颖的输运性质，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
-
公开(公告)号：CN109371468B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1‑x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110129878A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN103342551A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310267747.9
申请日：2013-06-28
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C23C14/28 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷的制备方法，本发明使用SrCO3、Fe2O3、Cr2O3、MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的温度下烧结12小时，获得单相的陶瓷。还公开了一种利用上述陶瓷制备得到的室温铁磁性Sr3FeCrMoO9薄膜的制备方法。该陶瓷具有良好的铁磁性，且具有高于室温的铁磁居里点（386K）。在获得陶瓷的基础上，利用脉冲激光沉积技术，在（001）SrTiO3单晶衬底上制备了相应的薄膜材料，该薄膜在室温下具有铁磁性。本发明所需的设备和制备过程简单易行。
-
-
公开(公告)号：CN116377570A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310161918.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种引入第二相SnSe2的N型SnSe晶体及其制备方法，所述SnSe晶体生长方法采用温度梯度循环的化学气相输运法，具体方法是使用I2等作为输运剂，将Sn粉，Se粉与输运剂混合，装入石英管中真空密封后放置于两温区的管式炉中，在生长温度程序中设置两种不同的温度梯度循环保温，自然降温至室温获得含有第二相SnSe2的N型SnSe晶体。本发明生长的SnSe晶体的尺寸能够达到毫米级，其导电载流子为电子，室温下载流子浓度可以达到1018cm‑3量级，迁移率为37cm2·V‑1·S‑1量级，在热电领域具有重要的研究和应用价值。
-
公开(公告)号：CN113668057B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110930085.3
申请日：2021-08-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.014 seconds)
