公开(公告)号：CN110408989A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910075768.8

申请日：2019-01-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  陈思思 ,  林大钧 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B28/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/64

Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。

公开(公告)号：CN110408989B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201910075768.8

申请日：2019-01-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 吕洋洋 ,  陈思思 ,  林大钧 ,  陈延彬 ,  姚淑华 ,  周健 ,  陈延峰

IPC: C30B28/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/64

Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。

公开(公告)号：CN108531974A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810343203.9

申请日：2018-04-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  林大钧 ,  吕洋洋 ,  陈思思 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。