-
公开(公告)号:CN103193487A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310142843.0
申请日:2013-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法,本发明的方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末,将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理,将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在流量为65ml/min的5%H2/95%Ar混合气下,在1473K的烧结温度下通过调控烧结时间(16-4h),得到一系列具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷,而且本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。
-
公开(公告)号:CN102633495A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201210106212.9
申请日:2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法,其中m=10/9,n=8/9或m=7/6,n=5/6,该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末,将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理,将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结,烧结温度1160°C,烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷,这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度,制备这些陶瓷,所需的设备和制备过程简单,无需H2气氛,制备条件宽松。
-
公开(公告)号:CN102633495B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201210106212.9
申请日:2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法,其中m=10/9,n=8/9或m=7/6,n=5/6,该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末,将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理,将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结,烧结温度1160°C,烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷,这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度,制备这些陶瓷,所需的设备和制备过程简单,无需H2气氛,制备条件宽松。
-
公开(公告)号:CN103342551A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310267747.9
申请日:2013-06-28
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C23C14/28 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷的制备方法,本发明使用SrCO3、Fe2O3、Cr2O3、MoO3粉末,将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理,将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在5%H2/95%Ar混合气下,在1473K的温度下烧结12小时,获得单相的陶瓷。还公开了一种利用上述陶瓷制备得到的室温铁磁性Sr3FeCrMoO9薄膜的制备方法。该陶瓷具有良好的铁磁性,且具有高于室温的铁磁居里点(386K)。在获得陶瓷的基础上,利用脉冲激光沉积技术,在(001)SrTiO3单晶衬底上制备了相应的薄膜材料,该薄膜在室温下具有铁磁性。本发明所需的设备和制备过程简单易行。
-
-
-