公开(公告)号：CN118272927A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211714887.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  蒋鸿涛 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12 ,  C09K5/02

Abstract: 本发明公开了一种具有巨热导率开关的Mn1.94Cu0.06V2O7晶体及其生长方法。所述晶体在升温至310K时，发生马氏体相变，热导率开关达到16.8％，可用作热管理材料及制备相应的热输运器件，在电子器件热管理领域具有重大的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN113668057B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110930085.3

申请日：2021-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  吕洋洋 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN113668057A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110930085.3

申请日：2021-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  陈利达 ,  吕洋洋 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B29/30 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。