公开(公告)号：CN110129878B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910444904.6

申请日：2019-05-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  张航飞 ,  吕洋洋 ,  曹琳 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/46 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。

公开(公告)号：CN110129878A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910444904.6

申请日：2019-05-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  张航飞 ,  吕洋洋 ,  曹琳 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/46 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。