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公开(公告)号：CN113564706A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为(No.164)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN113421615A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110686293.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种层状碱金属‑过渡金属氧化物的分子动力学模拟方法，属于热电材料技术领域。本发明通过采用线性插值法得到Co(4‑x)+‑O2‑和Rh(4‑x)+‑O2‑离子对的Buckingham作用势，能够模拟大尺寸体系，这使得本发明尤其适合于计算材料中碱金属扩散系数、碱金属分布模式、晶格热导率等物理性质，目前这也是通过理论计算非化学计量比MxCoO2、MxRhO2材料这三种性质的最合适的方法。
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公开(公告)号：CN111118605A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911151400.1
申请日：2019-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种理想狄拉克半金属Cu2HgSnSe4晶体，其特征在于，所述晶体为四方晶系，空间群是 (No.121)，所述Cu2HgSnSe4晶体的能带结构图中其导带与价带是不对称的，在导带仅存在Dirac费米子，而在价带则共存薛定谔费米子和Dirac费米子。如果费米能位于导带，则输运性质主要来源于Dirac费米子。这样的系统将有助于我们得到相对干净的输运实验数据，从而可以探索拓扑量子态的新颖输运性质。同时，Dirac点附近电子的线性色散关系在约400mV的能量范围内一直保持，而线性色散的Dirac锥能带结构对光波有大范围频率的非线性响应。所述晶体具有重大学术价值和潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN110387582A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V-1s-1(2K)和300cm2V-1s-1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108531974A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810343203.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116377570A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310161918.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种引入第二相SnSe2的N型SnSe晶体及其制备方法，所述SnSe晶体生长方法采用温度梯度循环的化学气相输运法，具体方法是使用I2等作为输运剂，将Sn粉，Se粉与输运剂混合，装入石英管中真空密封后放置于两温区的管式炉中，在生长温度程序中设置两种不同的温度梯度循环保温，自然降温至室温获得含有第二相SnSe2的N型SnSe晶体。本发明生长的SnSe晶体的尺寸能够达到毫米级，其导电载流子为电子，室温下载流子浓度可以达到1018cm‑3量级，迁移率为37cm2·V‑1·S‑1量级，在热电领域具有重要的研究和应用价值。
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公开(公告)号：CN113668057B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110930085.3
申请日：2021-08-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN113149093A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110264683.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于六方晶系，空间群为P63/mmc(No.194)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN110387582B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V‑1s‑1(2K)和300cm2V‑1s‑1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113564706B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为#imgabs0#其晶格常数为#imgabs1#该晶体显示新颖的输运性质，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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