公开(公告)号：CN116377570A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310161918.3

申请日：2023-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 姚淑华 ,  周小丽 ,  吕洋洋 ,  周健 ,  陈延彬 ,  陈延峰

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种引入第二相SnSe2的N型SnSe晶体及其制备方法，所述SnSe晶体生长方法采用温度梯度循环的化学气相输运法，具体方法是使用I2等作为输运剂，将Sn粉，Se粉与输运剂混合，装入石英管中真空密封后放置于两温区的管式炉中，在生长温度程序中设置两种不同的温度梯度循环保温，自然降温至室温获得含有第二相SnSe2的N型SnSe晶体。本发明生长的SnSe晶体的尺寸能够达到毫米级，其导电载流子为电子，室温下载流子浓度可以达到1018cm‑3量级，迁移率为37cm2·V‑1·S‑1量级，在热电领域具有重要的研究和应用价值。