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公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN111307850B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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公开(公告)号：CN115639236A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211288248.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 一种基于扫描电子显微镜平台的二次电子产额测试方法，借助已有扫描电子显微镜及法拉第杯，将原来用于聚焦扫描的电子束进行过聚焦后再散斑，得到所需二次电子产额的电子束照射面积，在该照射面积下测试待测样品上的电流，同时在保证扫描电子枪处于相同聚焦参数下通过法拉第杯测试入射电子电流，通过两次测试电流的简单计算即可得到该电子束能量下的二次电子产额。该方法实现了二次电子产额的简便、快捷、可靠的测试，其不仅对于二次电子发射领域的相关研究如空间微波部件微放电效应、电子倍增管性能优化、介质窗微波击穿等具有重要意义，也是对现有测试方法的有效补充。
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公开(公告)号：CN108387597B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2208
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN113684453B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113506968B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110662115.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法，包括：确定微波部件中沿电磁场传输通道方向的待降低二次电子发射表面；确定三维深度微结构加载区域；采用金属丝构成相交且尾端位于同一平面上的簇形结构；将簇形结构周期性首尾相连，两两编织，构成微结构单元；采用3D打印工艺，在三维深度微结构加载区域逐层加工制备微结构单元，形成三维深度微结构。本发明通过三维堆叠金属丝材料，在空间中形成三维深度微结构，实现二次电子发射的强抑制；同时在电磁场传输通道中控制微结构单元的表面投影尺寸大小，最小化对电性能的影响，最终实现不影响电性能的二次电子发射强抑制的三维深度微结构，具有物理结构稳定、与器件结合度优异等优点。
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公开(公告)号：CN113506968A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110662115.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法，包括：确定微波部件中沿电磁场传输通道方向的待降低二次电子发射表面；确定三维深度微结构加载区域；采用金属丝构成相交且尾端位于同一平面上的簇形结构；将簇形结构周期性首尾相连，两两编织，构成微结构单元；采用3D打印工艺，在三维深度微结构加载区域逐层加工制备微结构单元，形成三维深度微结构。本发明通过三维堆叠金属丝材料，在空间中形成三维深度微结构，实现二次电子发射的强抑制；同时在电磁场传输通道中控制微结构单元的表面投影尺寸大小，最小化对电性能的影响，最终实现不影响电性能的二次电子发射强抑制的三维深度微结构，具有物理结构稳定、与器件结合度优异等优点。
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公开(公告)号：CN108546929B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN108546929A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150-220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN119703125A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411889018.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: B22F10/28 , B22F1/08 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C1/04 , C22C1/11 , C22C45/10 , B22F10/85 , B22F10/366 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的超宽带非晶合金天线的设计制造方法，包括：面向一体化增材制造进行空间微波部件优化设计，以偶极子发射前端为一体化微波部件的代表，利用折叠弓形天线和中心馈电环形天线组合实现天线中的电偶极和磁偶极；通过一对差分馈电实现天线信号的激励，提供可扩展性和易于增材制造实现的结构；基于选区激光熔化增材制造的高强度非晶合金实现技术，优选激光功率、扫描速度以及扫描策略；根据天线的结构特点调整角度摆放打印成型；对打印成型的非晶合金天线进行测试完成天线性能验证。本发明满足高强度、高可靠和一体化的要求，采用基于增材制造技术的非晶合金实现了在空间极端温度环境下具有高可靠的微波部件一体化技术。
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