一种高轨SAR成像方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119179076A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411207199.5

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 本申请涉及一种高轨SAR成像方法,包括获取多个不同轨道段的雷达回波数据;计算每个轨道段的雷达回波数据对应的地面波束照射范围;根据所述地面波束照射范围确定重叠照射区域,并将所述重叠照射区域划分为地理编码成像网格;将所述地理编码成像网格作为成像区域,基于所述多个不同轨道段的雷达回波数据进行时域成像或者频域成像,得到最终的SAR图像。该方法解决了高轨SAR系统性能和图像质量的矛盾问题,即使在不增强硬件设备的情况下,利用多视叠加处理也能实现高信噪比SAR成像。

    一种高轨SAR长合成孔径时间海上运动目标成像处理方法

    公开(公告)号:CN118642105A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410753784.9

    申请日:2024-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种高轨SAR长合成孔径时间海上运动目标成像处理方法,其特征在于:步骤1,将高轨SAR长合成孔径时间进行子孔径划分,并通过子孔径成像获取子孔径序贯图像;步骤2,在子孔径序贯图像内对海面的运动目标进行检测和提取;步骤3,通过二维波数域频谱推导,分离出运动目标运动导致的散焦相位项,并进行补偿,完成运动目标二维频域重聚焦,得到重聚焦后的运动目标图像。本发明简化了舰船目标重聚焦处理算法的运算量和复杂程度;解决了高轨SAR合成孔径时间长、不同海况条件下舰船可累计时间和检测信杂噪比不同、运动目标散焦和高次相位误差补偿等难题,且大幅降低了海上运动目标检测对脉冲压缩后信噪比的要求。

    一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法

    公开(公告)号:CN110555186A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910672840.5

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法,首先对二次电子发射的能量和角度进行随机处理,根据初始直流电场和射频场确定电子与介质的碰撞能量,获得二次电子发射系数,根据二次电子产额更新介质表面的累积电荷,并更新直流电场。在微放电分析中采用多个电子进行平均处理,并考虑了直流电场的动态变化,获得动态直流场和射频场耦合作用下的介质窗微放电二次电子数目的变化过程。

    一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法

    公开(公告)号:CN103323477B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201310264119.5

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法,基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程,加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程,根据电子运动到不同的位置,例如电子处于气体吸附层厚度h内、或者电子从气体吸附层进入材料层或者电子从材料层向气体吸附层出射、或者电子处于材料内部等,采用不同的方法确定电子的能量和角度,获得二次电子发射系数,从而确定气体吸附状态下的二次电子发射特性,本发明方法为获得金属表面实际气体吸附下的二次电子发射特性提供了一种有效手段。

    一种提升高轨 SAR 扫描工作模式波束覆盖的设计方法

    公开(公告)号:CN118655576B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411147547.4

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种提升高轨 SAR 扫描工作模式波束覆盖的设计方法:步骤一:计算卫星偏航导引所需的高轨 SAR的天线波束的扫描视角和扫描方位角;步骤二:利用扫描视角和扫描方位角进行偏航角度校正;步骤三:根据距离向上成像测绘带的幅宽需求,将成像测绘带划分为多个子测绘带;步骤四:根据预设的分辨率要求,计算扫描工作模式中高轨SAR在各子测绘带内一次连续成像的时间;步骤五:计算高轨SAR卫星的扫描时间;步骤六:完成扫描模式距离向上所有的子测绘带图像拼接,得到测绘带图像。本发明能够实现高轨SAR 扫描子测绘带的有序拼接,能够有效避免子测绘带拼接错位。

    一种高轨SAR长合成孔径时间成像机理验证方法

    公开(公告)号:CN118655540B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411147268.8

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本发明属于雷达技术领域的图像识别技术,公开了一种高轨SAR长合成孔径时间成像机理验证方法:步骤1:计算卫星轨道位置成像所需合成孔径时间,选取时间间隔;步骤2:确定子孔径图像中目标相干性计算公式;步骤3:确定成像机理验证试验选取的合成孔径时间,通过车载试验模拟高轨SAR采集合成孔径时间内回波数据并进行参考信号补偿;步骤4:根据时间间隔,对补偿后的车载试验回波数据划分子孔径并进行子孔径成像处理;步骤5:计算子孔径图像中目标的相干性;如果目标的相干性低于阈值,则为失相干,否则为相干性好。本发明针对高轨SAR运行、空间环境及系统特殊性提出,是高轨SAR成像机理验证的有效手段。

    一种高轨SAR卫星成像中间歇定标方法

    公开(公告)号:CN119001631A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411085018.6

    申请日:2024-08-08

    Abstract: 本申请涉及一种高轨SAR卫星成像中间歇定标方法,包括:成像过程中设置各个回路定标的定标脉冲个数,回路定标包括参考回路定标、发射回路定标和接收回路定标;设置相邻两个回路定标之间的时间间隔;在成像过程中,按照参考回路定标、发射回路定标、接收回路定标的顺序进行三回路定标。本申请通过开机成像时间内穿插定标脉冲的方式实现了三回路定标,并给出了内定标系统参数设置的影响因素,通过优化内定标设计方案,降低了因脉内定标导致的回波信号丢失产生的成像质量恶化现象。

    一种确定微波部件多载波微放电最坏状态的方法

    公开(公告)号:CN105072076B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201510519286.9

    申请日:2015-08-21

    Abstract: 一种确定微波部件多载波微放电最坏状态的方法,首先通过在待分析微波部件容易放电的敏感部位放置电子,将电子等效为等离子体,通过等离子体频率确定其等效介电常数,通过电磁仿真或者解析计算获得端口反射系数可检测变化量对应的电子密度;其次采用全局优化算法,以初始相位组合的向量为优化变量,获得不同相位组合多载波信号时电子数目随时间的变化曲线,采用相邻两个包络周期电子数目的相对值和单个包络周期内微放电电子密度为判据,获得每种相位的微放电阈值,通过全局优化算法的种群调整获得能够以最小单路功率激励微放电的相位组合,即多载波微放电最坏状态。

    一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法

    公开(公告)号:CN103320799B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201310264149.6

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法,特别涉及一种通过电化学腐蚀方法来抑制铝合金镀银表面的二次电子发射系数的方法,属于微放电技术领域。将微波部件内表面先用酸溶液进行阳极氧化处理,在微波部件内表面形成多孔结构,然后利用化学溶液腐蚀的方法增大孔的口径,最后在微波部件内表面溅射沉积金或银等导电性好的金属,使得微波部件内表面既具有低二次电子发射系数,又具有良好的导电性能。

    一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法

    公开(公告)号:CN103323477A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310264119.5

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种确定气体吸附状态下的二次电子发射特性的方法,基于现有的电子入射到理想表面在材料内部的散射过程和电子的轨迹追踪过程,加入了功函数的变化和电子与吸附气体的各种散射过程,根据电子运动到不同的位置,例如电子处于气体吸附层厚度h内、或者电子从气体吸附层进入材料层或者电子从材料层向气体吸附层出射、或者电子处于材料内部等,采用不同的方法确定电子的能量和角度,获得二次电子发射系数,从而确定气体吸附状态下的二次电子发射特性,本发明方法为获得金属表面实际气体吸附下的二次电子发射特性提供了一种有效手段。

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