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公开(公告)号：CN113270533A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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公开(公告)号：CN103647016B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310681449.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103644999A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706910.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。本发明同时公开了一种制作低量程高灵敏度MEMS压力传感器的方法。由于多孔硅材料具有优越的压阻性能和机械性能，采用此结构的多孔硅MEMS压力传感器可以在保持线性度的同时提高灵敏度，同时通过灵活的结构设计可以实现在超低压力范围的应用。
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公开(公告)号：CN111579147B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010482344.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN108190829B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711498024.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920713A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
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公开(公告)号：CN108217579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711498022.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。
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公开(公告)号：CN105258786A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510736562.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法，包括：将谐振子器件放于压电陶瓷上，将激励信号加到压电陶瓷上；将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上，扫描谐振子以确定探针在器件表面位置，然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结构上；将激励信号源的频率先定于预先估计的谐振子谐振频率附近，等待激励进入稳定状态；设置激励信号源在估计谐振频率附近扫描，利用原子力显微镜探测在扫描频率下谐振子振动位移；改变探针位置到谐振子附近区域，得到器件在谐振子附近的振动位移；将相同频率的振动位移相减，得到在不同频率下谐振子的净振幅；以及处理得到的数据，得到谐振子的谐振频率和/或品质因数。
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公开(公告)号：CN103515524A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310503144.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并开孔，在开了孔的基片上淀积第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层；在具有上下电极的基片上淀积第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法在第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN120064842A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510263154.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种悬空岛微电机系统热电性能测试器件及制备方法，可以应用于半导体器件技术领域，该热电性能测试器件包括：基底；悬空岛结构，包括第一悬空岛、中心悬空岛、第三悬空岛，第一悬空岛和第二悬空岛关于中心悬空岛对称悬空设置在基底之上；多个第一金属组件，在第一悬空岛、中心悬空岛和第二悬空岛上均设置有一个第一金属组件；其中，在将待测目标放置于第一悬空岛和中心悬空岛之间的情况下，通过第一悬空岛对应的第一金属组件获取第一信号，通过第二悬空岛对应的第二金属组件获取第二信号，对第一信号和第二信号进行差分计算，基于差分计算的结果确定待测目标的热电性能测试结果。
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