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公开(公告)号：CN111362225B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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公开(公告)号：CN116344664A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111591899.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III‑V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在III‑V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。本发明提供的晶圆键合的欧姆接触电极退火方法实现了退火温度与晶圆键合的温度的适配，可以得到工艺稳定的键合晶片，以及接触电阻低的欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN115224147A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109682364B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN111362225A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860313A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910132185.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , B82Y30/00
Abstract: 一种基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法，所述太阳电池减反射膜所述表面为纳米锥团簇结构，纳米锥在单位平方微米面积内的数量为5至7个，纳米锥的高度为800至1000nm；其厚度在200μm-500μm之间；其制备方法，包括：步骤A：制备含有V型槽的模板；步骤B：配制PDMS溶液；步骤C：在步骤A所制备的模板上旋涂脱模剂；步骤D：将配置好的PDMS溶液倾倒于步骤C旋涂脱模剂后的模板上，并完全没过模板；步骤E：将覆有PDMS溶液的模板放入真空容器中进行抽气；去除模板上PDMS溶液中的气泡；步骤F：将去除了气泡的PDMS溶液的模板放入烘箱中进行退火；以及步骤G：将退火之后固化的PDMS从模板上揭下，完成基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜的制备。
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公开(公告)号：CN103811589A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410052413.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02167
Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在玻璃衬底上通过溅射生长一层反射镜；步骤2：在反射镜上沉积一层第一金属纳米颗粒；步骤3：在第一金属纳米颗粒上生长第一背电极；步骤4：在第一背电极上再沉积一层第二金属纳米颗粒；步骤5：在第二金属纳米颗粒上再沉积一层第二背电极；步骤6：在第二背电极上生长一层薄膜太阳能电池材料；步骤7：在薄膜太阳能电池材料的上表面上刻蚀出二维光栅结构；步骤8：在二维光栅结构上生长一层前电极，完成制备。本发明是利用前表面光栅和背面双层金属纳米结构对入射光形成多次散射作用，增强对入射光及透射光的作用效果。
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公开(公告)号：CN102051179A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN115224147B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117276373A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311234737.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构，包括n个叠加生长的InAs/GaAs1‑xSbx量子点层，其中，每个InAs/GaAs1‑xSbx量子点层包括：InAs量子点层；GaAs1‑xSbx梯度调制盖层，生长在InAs量子点层表面，用以调制InAs量子点的应力和光吸收，GaAs1‑xSbx梯度调制盖层中Sb的含量沿所述GaAs1‑xSbx梯度调制盖层在所述InAs量子点层上的生长方向线性递减；GaAs间隔层，生长在GaAs1‑xSbx梯度调制盖层表面，其中，n为大于等于1的整数。本发明提供的InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构有效缓解了InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构的应变积累并提高了光吸收系数，可以广泛应用于量子点激光器、量子点近红外探测器以及中间能带太阳能电池领域。
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