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公开(公告)号：CN118778173A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410913282.8
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长硅柱的3dB光功分器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述所述绝缘埋层的上表面；弯曲定向耦合器，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面；多个硅柱结构，形成在所述覆盖层内，并位于所述绝缘埋层的上表面且周期性排列在所述弯曲定向耦合器的弯曲部的凸出一侧。本发明能够实现稳定的3dB功分。
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公开(公告)号：CN118759737A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913180.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计算法的热光移相器，其特征在于，包括从下到上依次生成的衬底、埋氧层和覆盖层，所述覆盖层内设有芯层波导和加热器，所述芯层波导置于所述埋氧层上且与所述埋氧层相接，所述加热器包括位于所述芯层波导上方且与所述芯层波导平行的长方体热源，所述长方体热源的两端分别连接有金属电极；所述长方体热源的参数是通过逆向设计算法来优化获得的。本发明能够精确设计TiN薄膜的相关参数以提高热光效应的效率和稳定性，进而提高热光移相器的性能。
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公开(公告)号：CN118759646A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913269.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的多通道波分复用器，包括第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器均由马赫曾德尔干涉仪结构级联构成；所述第一滤波器的输入端与输入波导相连，上输出端与所述第二滤波器的下输入端相连，下输出端与所述第三滤波器的上输入端相连。本发明能够实现实现超大的通带平坦度和超低的通道串扰。
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公开(公告)号：CN118759635A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913084.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可连续调节的光功分器，包括光耦合器，以及置于所述光耦合器的模式演化区的加热器，所述加热器根据其两端施加电压的不同来调节所述模式演化区的温度，进而调节所述光耦合器的功分比。本发明能够减少光功分器的分光比偏差，实现功分比可实时调节的效果。
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公开(公告)号：CN118330812A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410413078.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于双层SOI的绝热定向耦合器及其制备方法，所述双层SOI衬底依次包括基底、埋氧层、第一波导层、第二埋氧层、第二波导层。基于双层SOI的绝热定向耦合器(ADC)，同时兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的性能特点，可以广泛用于波分复用，无源光网络，光学神经网络等系统当中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115877512A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211487141.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低损耗紧凑型MMI功率耦合器及其制作方法，其中，MMI功率耦合器包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接若干条形波导作为输入，另一侧连接一根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，每个纳米像素点型结构为二元状态，每个纳米像素点型结构的状态通过二元搜索法和设置的目标函数确定；所述目标函数设定为输入任何相位差的TE模光源时，输出端口的透射率最大。本发明解决现有技术中MMI功率耦合器对同相位耦合损耗高、占地面积较大等问题。
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公开(公告)号：CN118759738A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410913212.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的掺杂型热光移相器，包括：衬底；绝缘埋层，位于所述衬底的上表面；覆盖层，位于所述绝缘埋层的上表面；顶层硅波导，形成在所述覆盖层内部，并位于所述绝缘埋层的上表面；加热器，形成在所述覆盖层内部，并位于所述顶层硅波导的两侧，并与所述顶层硅波导的两侧贴合；所述加热器两端引出用于与电极相连的导线。本发明能够保证相移效率。
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公开(公告)号：CN101559914B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200910051290.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及具有深亚微米孔结构的数字微液滴驱动器结构及方法，其特征在于所述的数字液滴驱动器包括双极板和单极板两种结构：所述的双极板的结构的下层极板由绝缘衬底、驱动电极阵列、介质层、深亚微米孔结构和疏水膜层构成，上层极板包括绝缘基板、参考电极层、深亚微米孔结构和疏水膜层，上层极板和下层极板由支撑结构进行连接；驱动电极呈阵列状均布于绝缘衬底上，介质层覆盖在驱动电极阵列上，深亚微米孔结构和疏水膜层组成超疏水膜层，覆盖在介质层上；单极板结构与双极板结构中的下层极板结构相同。采用深亚微米级结构有效增强疏水膜层的疏水性能，有效减小结构的厚度，降低驱力电压。
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公开(公告)号：CN101559914A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051290.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及具有深亚微米孔结构的数字微液滴驱动器结构及方法，其特征在于所述的数字液滴驱动器包括双极板和单极板两种结构：所述的双极板的结构的下层极板由绝缘衬底、驱动电极阵列、介质层、深亚微米孔结构和疏水膜层构成，上层极板包括绝缘基板、参考电极层、深亚微米孔结构和疏水膜层，上层极板和下层极板由支撑结构进行连接；驱动电极呈阵列状均布于绝缘衬底上，介质层覆盖在驱动电极阵列上，深亚微米孔结构和疏水膜层组成超疏水膜层，覆盖在介质层上；单极板结构与双极板结构中的下层极板结构相同。采用深亚微米级结构有效增强疏水膜层的疏水性能，有效减小结构的厚度，降低驱力电压。
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公开(公告)号：CN118584589A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410660454.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种任意功分比的光耦合装置及其制备方法，装置包括：前端过渡区，包括两条前端过渡波导；光耦合区，包括两条耦合波导，所述耦合波导的第一端与对应的所述前端过渡波导连接，其中一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变宽，另一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变窄；后端过渡区，包括两条后端过渡波导，所述后端过渡波导的第一端与对应的所述耦合波导的第二端连接；由所述前端过渡波导射入的光束经所述耦合波导耦合后通过所述后端过渡波导分光输出，两路输出的功分比通过调节两条所述耦合波导的第二端的宽度之间的差值来调节。本发明的光耦合器具有任意功分比，且兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的特点。
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