基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法

    公开(公告)号:CN115188776A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110359483.4

    申请日:2021-04-02

    Abstract: 本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法,本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构,降低了系统的偏振灵敏度,同时保持较低的损耗。8通道的设计,有效地提高了系统的带宽,满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进,将光电探测器的光敏层设计为圆台形,圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素,保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法,通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度,简化测试过程,同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。

    基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113359233A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110459989.2

    申请日:2021-04-27

    Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法,该光分路器包括:自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层;氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导,两端分别形成有光栅发射器;二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层;光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔。采用氮化硅材料可应用的带宽大,且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小,光出射效率高;另外,光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光;最后,制备方法与CMOS工艺良好兼容,工艺简单,易于规模化生产。

    一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪

    公开(公告)号:CN112462469A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011479959.X

    申请日:2020-12-15

    Abstract: 本发明涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪,包括输入Y分支波导和输出Y分支波导,所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同,所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连;所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连,所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连,所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连;所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同,并沿着第二直波导的中线对称。本发明能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。

    一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构

    公开(公告)号:CN112255726A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011286995.4

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构,包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有两根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,当激光照射到硅导线时硅导线与衬底之间发生近场耦效应,且距离激光光源较近的一根硅导线完全抑制,距离激光光源较远的另一根硅导线保持亮度。本发明能够对某个特定角度的激光信号进行精确探测以及沿特定方向上进行非接触信号传输。

    一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器及探测方法

    公开(公告)号:CN113093334B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202110472031.7

    申请日:2021-04-29

    Abstract: 本发明提供一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器及探测方法,包括:定向耦合器,用于实现TE0模式至TE1模式的转换;偏振旋转器,与所述定向耦合器连接,用于实现TE1模式至TM0模式的转换;纳米线单光子探测器,与所述偏振旋转器连接,用于实现对TM0模式的吸收及探测。本发明的基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器结构简单,是在SOI结构的基础上实现TE0模至TM0模的高效转换,并由纳米线单光子探测器快速吸收并探测,不仅极大地缩短了纳米线所需长度,从而降低了纳米线制作所要求的工艺条件,还保护器件避免被刻蚀剂破坏,使得器件工作性能稳定。

    一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构

    公开(公告)号:CN112255726B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202011286995.4

    申请日:2020-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构,包括衬底,所述衬底上固设有一层绝缘层,所述绝缘层上设置有两根相互平行且形状尺寸相同的硅导线,每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连,当激光照射到硅导线时硅导线与衬底之间发生近场耦效应,且距离激光光源较近的一根硅导线完全抑制,距离激光光源较远的另一根硅导线保持亮度。本发明能够对某个特定角度的激光信号进行精确探测以及沿特定方向上进行非接触信号传输。

    一种基于绝热亚波长光栅的光学器件

    公开(公告)号:CN118759642A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410913133.1

    申请日:2024-07-09

    Abstract: 本发明涉及一种基于绝热亚波长光栅的光学器件,包括:第一耦合区,包括两条宽度沿第一端向第二端逐渐变小的锥形波导;第二耦合区,包括两条相互平行、且分别与所述第一耦合区的两条锥形波导的第二端连接的带状波导,两条所述带状波导的宽度相同;第三耦合区,包括两条宽度沿第一端向第二端逐渐变大、且分别与所述第二耦合区的两条带状波导连接的锥形波导;所述第二耦合区的两条带状波导上分别叠加有第一绝热亚波长光栅和第二绝热亚波长光栅,通过调节所述带状波导的宽度和长度、以及所述第一绝热亚波长光栅和第二绝热亚波长光栅宽度之间的差值来实现入射光的任意公分比。本发明能够实现可调任意公分比的超大带宽、小尺寸、低损耗的光耦合器。

    一种等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118244518A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410408712.0

    申请日:2024-04-07

    Abstract: 本发明涉及一种等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法,所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导,所述波导中央设置有脊波导,所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2);所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结;所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的三维掺杂结构,实现高效调制的硅基耗尽型调制器,且在低压下具有高带宽的优势,可实现低功耗大规模数据传输,具有良好的市场应用前景。

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