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公开(公告)号：CN109390385A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810822137.3
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/0688 , H01L29/66098 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本发明通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。
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公开(公告)号：CN109037316A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810887487.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。
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公开(公告)号：CN108428699A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711108418.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/8222 , H01L27/0255
Abstract: 本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
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公开(公告)号：CN110600469A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910966061.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
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公开(公告)号：CN110600467A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965446.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556416A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910966060.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109119381A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810887472.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L23/29
Abstract: 本发明公开了一种提高N衬底单向负阻型TVS芯片封装良率的胶水，其成分配比如下：银粉70-85wt％；改性环氧树脂7.5-15wt％；碳酸酯7.5-15wt％。本发明开发的新型胶水具有阻抗更小、散热更好、流通性更低的优点，同时采用刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险，避免了浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性，同时大大提升了封装极限能力，能够达到芯片版面与载体尺寸比例为1：1的水平，使得产品具有超低的正负向残压，能够超越目前市面上的所有同类产品。
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公开(公告)号：CN108922920A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810886804.4
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L21/2855 , H01L29/0684 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本发明通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108922885A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810885772.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L29/8611
Abstract: 本发明公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本发明通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。
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公开(公告)号：CN108417613A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710346858.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0688 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。本发明的器件结构对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能，由于N+浓度较低使其具有超低的电容，这大大提高了TVS器件对信号的响应速度，可以应用在保护高频数据接口电路上。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和散热优势明显。
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