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公开(公告)号：CN103222039A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180054833.0
申请日：2011-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/0485 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/0517 , H01L2224/05171 , H01L2224/05179 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05669 , H01L2224/05678 , H01L2224/29006 , H01L2224/2908 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于得到一种半导体元件，具有电极，该电极即使半导体元件在高温下、特别是175℃以上动作的情况下，半导体元件和金属纳米粒子烧结层也能够稳定地密接充分长时间。具有电极，该电极具备：含Ni金属层（4），形成于半导体元件构造部的至少一个面侧且包含Ni；Ni阻挡金属层（5），在含Ni金属层（4）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成；以及表面金属层（6），在Ni阻挡金属层（5）的与半导体元件构造部相反的一侧的外侧形成，且将与金属纳米粒子烧结层（9）连接，Ni阻挡金属层（5）含有降低Ni向表面金属层（6）的扩散的金属。
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公开(公告)号：CN103703560A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280036035.X
申请日：2012-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/14 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73263 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/92246 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
Abstract: 以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。
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公开(公告)号：CN103703560B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201280036035.X
申请日：2012-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/14 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73263 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/92246 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
Abstract: 以得到即使进行高温工作的情况下也能够长时间维持与半导体元件的接合的半导体装置为目的，具备：电路基板，在绝缘基板（21）的一个面设置了由铜材料构成的电极（22、23、26）；以及功率半导体元件（1），使用烧结银粒子接合材料（4P）接合到电极，其中，电极的从与功率半导体元件（1）的接合面（PB）至朝向绝缘基板（21）的50μm深度为止的部分（23、26P）具有维氏硬度70HV以上的硬度，且绝缘基板（21）侧的部分（22、26B）的维氏硬度为50HV以下。
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