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公开(公告)号：CN101930933B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910179607.X
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够抑制树脂密封时岛移动的半导体装置的制造方法。灌封模具(30)由上模(32)和下模(34)构成，通过使两者抵接而构成模腔(36A)等以及浇道(38)。在下模(34)中设置供给口，将由固态的树脂构成的板收纳供给口(42)并加热熔化之后，通过柱塞加压熔化的密封树脂而将密封树脂供给到各模腔。具体地，从供给口(42)供给的密封树脂的流动的上游侧，按照模腔(36A)、(36B)、(36C)、(36D)、(36E)的顺序，从供给口(42)供给液状的密封树脂。各模腔通过浇道(38)连通。而且，连通模腔(36A)和模腔(36B)的浇道(38)相对于供给密封树脂(16)的路径倾斜地设置。
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公开(公告)号：CN101930933A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910179607.X
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够抑制树脂密封时岛移动的半导体装置的制造方法。灌封模具(30)由上模(32)和下模(34)构成，通过使两者抵接而构成模腔(36A)等以及浇道(38)。在下模(34)中设置供给口，将由固态的树脂构成的板收纳供给口(42)并加热熔化之后，通过柱塞加压熔化的密封树脂而将密封树脂供给到各模腔。具体地，从供给口(42)供给的密封树脂的流动的上游侧，按照模腔(36A)、(36B)、(36C)、(36D)、(36E)的顺序，从供给口(42)供给液状的密封树脂。各模腔通过浇道(38)连通。而且，连通模腔(36A)和模腔(36B)的浇道(38)相对于供给密封树脂(16)的路径倾斜地设置。
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公开(公告)号：CN101047171A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091432.8
申请日：2007-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明在将多个半导体芯片安装到引线架上的半导体装置中，减小其平面尺寸及厚度而实现小型化。通过将第一岛区域(12)的背面与第二岛区域(13)的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减小到比两芯片的平面面积小。另外，与第二半导体芯片(20)连接的金属细线由于向背侧延伸，故能够将半导体装置的厚度也减薄。
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公开(公告)号：CN100388482C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410059339.5
申请日：2004-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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公开(公告)号：CN1574348A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410059339.5
申请日：2004-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257008B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710161810.5
申请日：2007-09-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明在将多个半导体芯片安装到引线架上的半导体装置中，减小其平面尺寸及厚度而实现小型化。通过将第一岛区域(12)的背面与第二岛区域(13)的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的第一半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减小到比两芯片的平面面积小。另外，与第二半导体芯片(20)连接的金属细线由于向背侧延伸，故能够将半导体装置的厚度也减薄。
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公开(公告)号：CN100521195C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710091432.8
申请日：2007-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明在将多个半导体芯片安装到引线架上的半导体装置中，减小其平面尺寸及厚度而实现小型化。通过将第一岛区域(12)的背面与第二岛区域(13)的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减小到比两芯片的平面面积小。另外，与第二半导体芯片(20)连接的金属细线由于向背侧延伸，故能够将半导体装置的厚度也减薄。
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公开(公告)号：CN1199531C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01111941.1
申请日：2001-02-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/4832 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明面临的课题是由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接，所以就没能找到改善由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的导通电阻的解决办法。本发明通过使用MOSFET的保护电路装置，不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路，实现了低的导通电阻，其中，该MOSFET配备有；被电分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置于该MOSFET芯片的共用漏电极上的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。
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公开(公告)号：CN101257008A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710161810.5
申请日：2007-09-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明在将多个半导体芯片安装到引线架上的半导体装置中，减小其平面尺寸及厚度而实现小型化。通过将第一岛区域(12)的背面与第二岛区域(13)的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的第一半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减小到比两芯片的平面面积小。另外，与第二半导体芯片(20)连接的金属细线由于向背侧延伸，故能够将半导体装置的厚度也减薄。
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公开(公告)号：CN1342037A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN01111941.1
申请日：2001-02-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/4832 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 问题是没有改善由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接而由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的通态电阻的解决办法。通过使用MOSFET的保护电路装置,不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路,实现了低的通态电阻,其中,该MOSFET配备有:在电气上分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置该MOSFET芯片的共用漏电极的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。
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